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刘洪武

作品数：6 被引量：21H指数：3
供职机构：中国科学院长春物理所更多>>
发文基金：“九五”国家科技攻关计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 2篇专利

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 5篇液晶
  • 5篇液晶显示
  • 4篇液晶显示器
  • 4篇显示器
  • 3篇开关
  • 3篇开关器件
  • 2篇有源矩阵
  • 2篇有源矩阵液晶...
  • 2篇晶体管
  • 2篇薄膜晶体
  • 2篇薄膜晶体管
  • 1篇电极
  • 1篇电极对
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇液晶显示技术
  • 1篇液晶显示器件
  • 1篇有源
  • 1篇有源矩阵液晶...
  • 1篇制法

机构

  • 6篇中国科学院长...

作者

  • 6篇刘洪武
  • 5篇黄锡珉
  • 4篇马凯
  • 4篇吴渊
  • 2篇杨柏梁
  • 2篇王刚
  • 1篇袁剑峰
  • 1篇李牧菊
  • 1篇刘传珍

传媒

  • 2篇吉林大学自然...
  • 2篇液晶与显示

年份

  • 3篇1999
  • 2篇1998
  • 1篇1997
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
氢热处理绝缘体表面对金属-绝缘体-金属开关器件I-V特性的影响被引量：3
1998年
在氢气气氛下对绝缘体表面进行热处理提高金属-绝缘体-金属（MIM）器件的I-V特性曲线的对称性，简化了该器件的制作工艺，并探讨底电极掺氮对MIM器件I-V特性曲线的影响，用n-n--n能带模型对MIM器件的I-V特性曲线对称性加以解释．
刘洪武吴渊马凯黄锡珉
关键词：液晶显示器I-V特性
一种金属－绝缘体－金属开关器件的制法
本发明涉及一种用于液晶显示器寻址的金属－绝缘体－金属有源薄膜开关器件的制法。采用五氧化二钽膜制作金属－绝缘体－金属开关器件的绝缘层,阳极氧化的五氧化二钽膜在氢气气氛下进行退火处理。减少绝缘膜的阳极氧化Ta<Sub>2</...
刘洪武黄锡珉马凯吴渊
文献传递
顶电极对金属-绝缘体-金属器件I-V曲线对称性的影响被引量：1
1997年
通过顶电极金属材料的选择，考察金属-绝缘体-金属器件的I-V曲线的对称性．并用p-n-n能带模型进行了分析解释．结果表明，采用电负性小于1.6的金属作顶电极，并在一定温度下对该器件进行热处理，可以提高其I-V曲线的对称性．
刘洪武吴渊朱永福马凯黄锡珉
关键词：液晶显示器件
三端子有源矩阵液晶显示器被引量：9
1998年
主要介绍了ＴＦＴ特别是ａ－ＳｉＴＦＴ矩阵寻址的液晶显示器的结构、制作工艺、工作原理、动态和驱动特性，并着重对其器件参数的选择进行了分析，为今后器件的设计提供了理论依据。同时也介绍了其它三端子方式ＡＭＬＣＤ的特点及所存在的问题。
刘洪武
关键词：TFTAMLCD液晶显示器A-SI
一种薄膜晶体管开关器件的制作方法
本发明公开了一种有源液晶显示器的薄膜晶体管开关器件制作方法。在氢化非晶硅(a－Si:H)有源层上用光刻方法制作一绝缘介质层,绝缘介质层为倒梯形结构和矩形结构,上边长等于栅电极宽度,也可以小于栅电极宽度,高度大于1.5倍的...
刘洪武杨柏梁王刚朱永福黄锡珉马凯
文献传递
硅基TFT有源矩阵液晶显示技术被引量：8
1999年
介绍了薄膜晶体管（ＴＦＴ），特别是ｐ－Ｓｉ（多晶硅）ＴＦＴ矩阵寻址液晶显示器的工作原理、结构、特点、制作工艺和电学特性。
刘传珍杨柏梁朱永福李牧菊袁剑峰王刚吴渊刘洪武黄锡珉
关键词：多晶硅薄膜晶体管有源矩阵液晶显示
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