您的位置： 专家智库 > >

张伟才

作品数：49 被引量：1H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺文化科学电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 44篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇标准

领域

  • 8篇电子电信
  • 4篇金属学及工艺
  • 3篇文化科学
  • 1篇电气工程

主题

  • 31篇单晶
  • 16篇晶片
  • 16篇硅单晶
  • 12篇单晶片
  • 10篇锗
  • 7篇抛光片
  • 5篇倒角
  • 5篇硅单晶抛光片
  • 5篇掺杂
  • 4篇抛光
  • 4篇抛光液
  • 4篇削片
  • 4篇硅片
  • 3篇单晶硅
  • 3篇单晶生长
  • 3篇锗单晶
  • 3篇直接键合
  • 3篇翘曲
  • 3篇拉制
  • 3篇机械研磨

机构

  • 47篇中国电子科技...

作者

  • 47篇张伟才
  • 24篇杨洪星
  • 21篇杨静
  • 19篇韩焕鹏
  • 14篇庞炳远
  • 14篇索开南
  • 14篇赵权
  • 6篇吕菲
  • 4篇于妍
  • 3篇佟丽英
  • 3篇刘春香
  • 2篇刘洋
  • 2篇康洪亮
  • 2篇刘锋
  • 2篇冯旭
  • 2篇陈建跃
  • 1篇高丹
  • 1篇李保军

传媒

  • 1篇电源技术
  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 3篇2024
  • 1篇2023
  • 7篇2022
  • 9篇2021
  • 8篇2020
  • 7篇2019
  • 3篇2018
  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 3篇2015
  • 1篇2014
  • 2篇2013
共 49 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种提高锗单晶片机械强度的腐蚀方法
本发明公开了一种提高锗单晶片机械强度的腐蚀方法，该方法将腐蚀工艺分为两步腐蚀，第一步，将锗单晶片在碱性腐蚀液中腐蚀；第二步，将锗单晶片在酸性腐蚀液中腐蚀；碱性腐蚀液由KOH和H<Sub>2</Sub>O<Sub>2</S...
吕菲常耀辉张伟才宋晶田原李静坤
文献传递
一种拉制高电阻率区熔单晶硅的工艺方法
本发明公开了一种拉制高电阻率区熔单晶硅的工艺方法，包括：多晶料对中、籽晶安装、封炉、抽真空、通氩气、预热、化料引晶、拉细颈、扩肩、转肩、等径保持及收尾工艺，在等径保持工艺中增加正反转工艺，当熔区液面稳定后，开启正反转功能...
郑万超张伟才冯旭张瀚文李聪刘洪李明佳
文献传递
一种ＭＥＭＳ器件制作用硅单晶材料的热场和制备方法
本发明涉及一种ＭＥＭＳ器件制作用硅单晶材料的热场和制备方法，改变了单晶炉热场的上下保温层厚度，优化了热场的纵向温度梯度，使用新型结构的导流筒，改善了氩气流场结构，采用磁场拉晶，并随着熔硅减少，逐渐增强磁场强度，以保证晶体...
韩焕鹏杨洪星陈晨何远东杨静范红娜庞炳远王雄龙张伟才
文献传递
一种直接键合用硅单晶抛光片表面质量的评价方法
本发明公开了一种直接键合用硅单晶抛光片表面质量的评价方法。步骤如下：步骤一，采用强光灯下目检的方式，对表面质量进行初步判断；步骤二，强光灯下目检合格的晶片进行表面颗粒度检测；步骤三，小于表面颗粒检测范围的表面不平坦状况采...
索开南杨洪星张伟才庞炳远李聪陈晨杨静王雄龙郑万超
一种制作异形硅单晶抛光片的方法
本发明公开了一种用于制作异形硅单晶抛光片的方法，包括硅单晶抛光片圆片的制备、贴膜、激光划片、揭膜、清洗等步骤。先通过硅单晶生长以及加工制备出硅抛光片，将硅片贴膜后，使用激光划片机根据异形硅抛光片的形状、尺寸要求进行划片。...
陈晨杨洪星韩焕鹏庞炳远何远东范红娜杨静张伟才赵权
文献传递
一种减小锗磨削片弯曲度的加工方法
本发明公开了一种减小锗磨削片弯曲度的加工方法，该加工方法包括磨削、贴膜、去膜、化学腐蚀等步骤，首先对锗单晶片的背面顺磨磨削减薄，然后背面贴膜对正面进行逆磨磨削减薄，通过紫外灯照射去膜，最后对锗单晶片进行化学腐蚀处理，即得...
何远东韩焕鹏王雄龙张伟才赵权杨洪星陈晨杨静李明佳
文献传递
一种加工厚层外延用硅单晶片的倒角砂轮及倒角方法
本发明涉及一种加工厚层外延用硅单晶片的倒角砂轮及倒角方法。砂轮粗倒角槽直径比晶片厚度小120～150μm，半角度18～22°，深度1000±100μm，金刚石粒度600～1000#；精倒角槽直径比晶片厚度小160~180...
张伟才陶术鹤陈建跃康洪亮赵权
文献传递
圆片级封装用玻璃通孔晶片的减薄工艺被引量：1
2018年
对圆片级封装用玻璃通孔（TGV）晶片的减薄加工工艺进行了研究并最终确定出工艺路线。该减薄加工工艺主要包括机械研磨及化学机械抛光（CMP）过程。通过机械研磨,玻璃通孔晶片的残余玻璃层及硅层得到有效去除,整个晶片的平整度显著提高,用平面度测量仪测试该晶片研磨后的翘曲度与总厚度变化（TTV）值分别为7.149μm与3.706μm。CMP过程使得TGV晶片的表面粗糙度大幅度降低,经白光干涉仪测试抛光后TGV晶片的表面粗糙度为4.275 nm。通过该减薄工艺加工的TGV晶片能够较好满足圆片级封装时的气密性要求。
杨静韩焕鹏杨洪星王雄龙张伟才
关键词：机械研磨
一种环线及单线切割机用单晶夹具及使用方法
本发明涉及环线及单线切割机用单晶夹具及使用方法，属于半导体硅材料切断加工技术领域，步骤如下：将6英寸或4英寸单晶,平稳放置在切割机的载物台上，通过操作界面使切割机的两个夹臂相向的横向移动，至两个单夹具的加持板Ⅱ分别与单晶...
索开南曹志颖张伟才宋家祥李东剑国佳方继伟王东兴
一种制备低COP缺陷硅单晶的氮掺杂方法
本发明公开了一种制备低COP缺陷硅单晶的氮掺杂方法。在直拉法硅单晶生长过程中，增加氨气高温离解装置，将高纯氨气通入氨气高温离解装置产生N(g)，N(g)溶解于硅熔体，并扩散至单晶生长固、液交界面处，然后随着生长过程的进行...
张颖武韩焕鹏赵堃李明佳莫宇张伟才赵权刘锋
全选 清除 导出
共5页<12345>
聚类工具0