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吴少雄

作品数：22 被引量：0H指数：0
供职机构：华中科技大学更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 21篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 7篇硫化
  • 7篇硫化钼
  • 6篇电池
  • 5篇电极
  • 5篇载流子
  • 5篇迁移率
  • 4篇太阳能电池
  • 4篇激光
  • 4篇半导体
  • 4篇衬底
  • 3篇载流子迁移率
  • 3篇气相沉积
  • 3篇开关比
  • 3篇化学气相
  • 3篇化学气相沉积
  • 3篇功函数
  • 2篇氮化硅
  • 2篇氮化硅薄膜
  • 2篇导体
  • 2篇电池效率

机构

  • 22篇华中科技大学

作者

  • 22篇吴少雄
  • 21篇曾祥斌
  • 21篇王文照
  • 19篇周广通
  • 12篇任婷婷
  • 6篇丁佳
  • 2篇王硕
  • 2篇郭富城
  • 2篇付永胜
  • 1篇李浩然

年份

  • 5篇2020
  • 7篇2019
  • 7篇2018
  • 3篇2017
共 22 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于柔性衬底底栅结构的MoS<Sub>2</Sub>TFT器件及制备方法
本发明公开了一种基于柔性衬底底栅结构的MoS<Sub>2</Sub>TFT器件及制备方法，该柔性衬底底栅结构的MoS<Sub>2</Sub>TFT器件包括：柔性衬底，底栅金属薄膜，氧化铝薄膜，反应源薄膜，源漏电极，二硫化...
曾祥斌曾洋吴少雄王文照胡一说周广通任婷婷郭振宇靳雯
硫族化合物膜上涂覆纳米颗粒的晶体管及制备方法与应用
本发明公开了一种硫族化合物膜上涂覆纳米颗粒的晶体管及制备方法与应用，属于微电子及光电子技术领域。包括具有二氧化硅绝缘层的硅衬底、1T相过渡金属硫族化合物膜、2H相过渡金属硫族化合物膜、电极A、电极B和纳米颗粒层。本发明中...
曾祥斌郭振宇王文照胡一说吴少雄周广通曾洋任婷婷靳雯鲁基昌曾薏蓉肖永红
文献传递
一种金属掺杂二硫化钼薄膜的制备方法
本发明属于半导体薄膜材料制备领域，更具体地，涉及一种金属掺杂二硫化钼薄膜材料的制备方法。将含有硫源、钼源和待掺杂金属元素的混合溶液涂覆在基片上，在真空条件下，采用激光照射涂覆有所述混合溶液的基片表面，制备得到金属掺杂的二...
曾祥斌任婷婷胡一说王文照吴少雄周广通曾洋郭振宇靳雯王士博
一种纳米层状横向同质PN二极管及其制备方法与应用
本发明公开了一种纳米层状横向同质PN二极管及其制备方法与应用。所述p型过渡金属硫族化合物膜和n型过渡金属硫族化合物膜均位于介质层的上表面，且横向连接；电极层分别与p型过渡金属硫族化合物膜和n型过渡金属硫族化合物膜纵向连接...
曾祥斌王文照郭振宇吴少雄曾洋胡一说周广通靳雯任婷婷
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一种实现内部物品移动和固定的实验腔室
本实用新型公开了一种实现内部物品移动和固定的实验腔室。该实验腔室包括管内磁铁、管外磁铁、载体和腔体；所述载体位于所述腔体内部下表面；所述管内磁铁位于所述载体上表面；所述管外磁铁位于腔体的外部管壁上，且位于管内磁铁的垂直正...
曾祥斌李浩然周广通丁佳吴少雄王文照
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二维硫化钼薄膜的制备及其掺杂特性的研究
二维过渡金属硫族化物因其天然的原子级厚度和优异的电学特性成为后硅时代延续摩尔定律最有潜力的材料之一。硫化钼（MoS2）薄膜是其中最典型的代表。单层MoS2薄膜具有三层原子的厚度（7.5(A)）和1.8eV的直接带隙，以及...
吴少雄
关键词：化学气相沉积掺杂改性性能表征
一种金属掺杂二硫化钼薄膜的制备方法
本发明属于半导体薄膜材料制备领域，更具体地，涉及一种金属掺杂二硫化钼薄膜材料的制备方法。将含有硫源、钼源和待掺杂金属元素的混合溶液涂覆在基片上，在真空条件下，采用激光照射涂覆有所述混合溶液的基片表面，制备得到金属掺杂的二...
曾祥斌任婷婷胡一说王文照吴少雄周广通曾洋郭振宇靳雯王士博
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一种纳米层状横向同质PN二极管及其制备方法与应用
本发明公开了一种纳米层状横向同质PN二极管及其制备方法与应用。所述p型过渡金属硫族化合物膜和n型过渡金属硫族化合物膜均位于介质层的上表面，且横向连接；电极层分别与p型过渡金属硫族化合物膜和n型过渡金属硫族化合物膜纵向连接...
曾祥斌王文照郭振宇吴少雄曾洋胡一说周广通靳雯任婷婷
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一种二维过渡金属硫族化合物薄膜及其制备方法
本发明公开了一种二维过渡金属硫族化合物薄膜及其制备方法，其中制备方法包括：将A和B混合后加入C溶液得到前驱体溶液，A为五氯化钼或者四氯化钨，B为硫脲或者硒脲，C为异丙醇、乙醇或者甲醇，将前驱体溶液涂抹在带氧化层的硅片上；...
胡一说曾祥斌王文照吴少雄徐素娥曾洋李寒剑
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一种HIT太阳能电池及其制备方法
本发明公开了一种HIT(Heterojunction with Intrinsic Thin‑layer)太阳能电池及其制备方法，该电池的组成包括N型单晶硅衬底(N‑c‑Si)、本征氢化非晶硅层(a‑Si：H)、低氢气稀...
曾祥斌郭富城徐素娥李寒剑丁佳王文照王硕付永胜胡一说周广通吴少雄
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