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王志成

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：华南师范大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文专利

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 6篇纳米
  • 6篇纳米线
  • 4篇电子领域
  • 4篇探测器
  • 4篇紫外探测
  • 4篇紫外探测器
  • 4篇微电子领域
  • 2篇电注入
  • 2篇电子器件
  • 2篇粘结
  • 2篇粘结性
  • 2篇欧姆接触
  • 2篇线阵列
  • 2篇纳米线结构
  • 2篇纳米线阵列
  • 2篇金属薄膜
  • 2篇互联
  • 2篇光刻
  • 2篇光刻工艺
  • 2篇GAN

机构

  • 6篇华南师范大学

作者

  • 6篇郑树文
  • 6篇何苗
  • 6篇王志成
  • 2篇朱凝
  • 2篇黄波

年份

  • 2篇2019
  • 1篇2018
  • 3篇2017
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
一种基于GaN水平纳米线交叉结的多端电子器件制备方法
本发明公开了一种基于GaN水平纳米线交叉结的多端电子器件制备方法，将衬底清洗、蒸镀金属薄膜后；在HVPE设备中翻转衬底，使衬底上蒸镀有金属薄膜的一面向下并且与下方石墨盘之间设置有一定间隙，通过VLS方法在衬底上生长纳米线...
何苗王志成黄波丛海云郑树文
文献传递
一种带有GaN纳米线阵列的紫外探测器及其制作方法
本发明公开了一种带有GaN纳米线阵列的紫外探测器及其制作方法，包括衬底和P型GaN薄膜层，所述P型GaN薄膜层设置在衬底的上表面，所述P型GaN薄膜层上生长有N型GaN纳米线阵列，所述N型GaN纳米线阵列中的N型GaN纳...
何苗王志成郑树文朱凝
文献传递
一种基于GaN水平纳米线交叉结的多端电子器件制备方法
本发明公开了一种基于GaN水平纳米线交叉结的多端电子器件制备方法，将衬底清洗、蒸镀金属薄膜后；在HVPE设备中翻转衬底，使衬底上蒸镀有金属薄膜的一面向下并且与下方石墨盘之间设置有一定间隙，通过VLS方法在衬底上生长纳米线...
何苗王志成黄波丛海云郑树文
一种带有GaN纳米线阵列的紫外探测器及其制作方法
本发明公开了一种带有GaN纳米线阵列的紫外探测器及其制作方法，包括衬底和P型GaN薄膜层，所述P型GaN薄膜层设置在衬底的上表面，所述P型GaN薄膜层上生长有N型GaN纳米线阵列，所述N型GaN纳米线阵列中的N型GaN纳...
何苗王志成郑树文朱凝
文献传递
一种GaN水平纳米线电子器件制备方法
本发明公开了一种GaN水平纳米线电子器件制备方法，直接在衬底上生长水平GaN纳米线，并通过光刻工艺制备方形电极阵列，采用PECVD设备沉积厚度为2250Å的SiO2；通过FIB工艺在沉积有SiO2的一根纳米线顶部沉积金属...
何苗王志成丛海云郑树文
文献传递
一种GaN水平纳米线电子器件制备方法
本发明公开了一种GaN水平纳米线电子器件制备方法，直接在衬底上生长水平GaN纳米线，并通过光刻工艺制备方形电极阵列，采用PECVD设备沉积厚度为2250Å的SiO2；通过FIB工艺在沉积有SiO2的一根纳米线顶部沉积金属...
何苗王志成丛海云郑树文
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