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卜毅

作品数：7 被引量：1H指数：1
供职机构：东华理工大学更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇一般工业技术
  • 1篇电子电信

主题

  • 6篇氧化钒薄膜
  • 6篇二氧化钒
  • 6篇二氧化钒薄膜
  • 3篇单晶
  • 2篇单晶材料
  • 2篇等离子体
  • 2篇等离子体刻蚀
  • 2篇生长面
  • 2篇退火
  • 2篇气体传感
  • 2篇热退火
  • 2篇刻蚀
  • 2篇快速热退火
  • 2篇铬层
  • 2篇管式
  • 2篇管式炉
  • 2篇感应耦合
  • 2篇感应耦合等离...
  • 2篇感应耦合等离...
  • 2篇传感

机构

  • 7篇东华理工大学

作者

  • 7篇卜毅
  • 6篇邹继军
  • 5篇朱志甫
  • 5篇邓文娟
  • 4篇刘云
  • 1篇彭新村

年份

  • 2篇2019
  • 1篇2018
  • 4篇2017
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
一种二氧化钒薄膜真空计及其制备方法
本发明公开了一种二氧化钒薄膜真空计，该真空计的核心是二氧化钒薄膜，二氧化钒薄膜可以通过管式炉在SiO<Sub>2</Sub>/Si、Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>/Si、石英、蓝宝石等衬底上生长得...
邹继军卜毅朱志甫邓文娟刘云
二氧化钒（VO2）薄膜生长及其器件应用研究
过渡金属氧化物（TMOs）是一种极具吸引力的材料,由于其广泛的电学,化学和磁学性能。二氧化钒（VO2）作为一种金属-绝缘体相变材料,其相变温度接近室温。这些独特性质中的大多数源自材料的晶格和轨道自由度之间的相互作用。VO...
卜毅
关键词：二氧化钒薄膜单晶
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一种二氧化钒薄膜真空计及其制备方法
本发明公开了一种二氧化钒薄膜真空计，该真空计的核心是二氧化钒薄膜，二氧化钒薄膜可以通过管式炉在SiO<Sub>2</Sub>/Si、Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>/Si、石英、蓝宝石等衬底上生长得...
邹继军卜毅朱志甫邓文娟刘云
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二氧化钒薄膜忆阻存储器
本实用新型涉及一种二氧化钒薄膜忆阻存储器，包括微控制器、电压脉冲发生器、二氧化钒薄膜、用于控制二氧化钒薄膜环境温度的恒温器和放大电路，微控制器与电压脉冲发生器连接，电压脉冲发生器与二氧化钒薄膜连接，二氧化钒薄膜与放大电路...
卜毅邹继军朱志甫邓文娟彭新村
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一种利用管式炉生长大面积单晶二氧化钒薄膜方法
本发明公开了一种利用管式炉生长大面积单晶二氧化钒薄膜的方法，在一定厚度的SiO<Sub>2</Sub>/Si、Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>/Si、硅、石英和蓝宝石等实验基片上，采用气‑固方式生长...
卜毅邹继军朱志甫邓文娟刘云
一种半导体材料少子寿命测量装置
本实用新型公开了一种半导体材料少子寿命测量装置，其特征在于，它包括光源、测量台、微处理器、设置在微处理器内部的片内A/D转换器、显示器和控制器，光源位于测量台正上方，测量台连接有恒流源和高速放大器；高速放大器一方面与片内...
卜毅邹继军
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一种利用管式炉生长大面积单晶二氧化钒薄膜的方法
本发明公开了一种利用管式炉生长大面积单晶二氧化钒薄膜的方法，在一定厚度的SiO<Sub>2</Sub>/Si、Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>/Si、硅、石英和蓝宝石等实验基片上，采用气‑固方式生长...
卜毅邹继军朱志甫邓文娟刘云
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