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左月

作品数:5 被引量:2H指数:1
供职机构:上海第二工业大学更多>>
发文基金:上海市浦江人才计划项目上海市教育发展基金会“曙光计划”项目国家自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术更多>>

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 3篇一般工业技术

主题

  • 5篇电致变色
  • 4篇导电
  • 4篇导电玻璃
  • 4篇形貌
  • 4篇材料形貌
  • 3篇氧化钼
  • 2篇电致变色薄膜
  • 2篇电致变色器件
  • 2篇氧化钨
  • 2篇马弗炉
  • 2篇封端
  • 2篇封端剂
  • 1篇电致变色性能
  • 1篇水热
  • 1篇水热法
  • 1篇热法

机构

  • 5篇上海第二工业...

作者

  • 5篇左月
  • 4篇王金敏
  • 1篇王金敏
  • 1篇马董云
  • 1篇许中平

传媒

  • 1篇上海第二工业...

年份

  • 2篇2019
  • 3篇2017
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
一种直接在导电玻璃上生长氧化钨薄膜的方法
本发明公开了一种直接在导电玻璃上生长氧化钨薄膜的方法。本发明方法的具体步骤如下:首先将六氯化钨、无水乙醇、四氢呋喃和聚乙二醇混合,之后转移到水热反应釜中,并向水热反应釜中放一块FTO导电玻璃,其导电面朝下,恒温水热反应一...
王金敏朱俊宇左月
一种氧化钼电致变色纳米薄膜及其制备方法
本发明公开了一种氧化钼电致变色纳米薄膜及其制备方法。本发明薄膜为厚度为100~150 nm的纳米片状结构阵列、层状结构的纳米块、短纳米带结构阵列或者直径70~100 nm的表面粗糙的纳米球。本发明首先将单质钼、双氧水与去...
王金敏左月朱俊宇
文献传递
一种氧化钼电致变色纳米薄膜及其制备方法
本发明公开了一种氧化钼电致变色纳米薄膜及其制备方法。本发明薄膜为厚度为100~150 nm的纳米片状结构阵列、层状结构的纳米块、短纳米带结构阵列或者直径70~100 nm的表面粗糙的纳米球。本发明首先将单质钼、双氧水与去...
王金敏左月朱俊宇
一种直接在导电玻璃上生长氧化钨薄膜的方法
本发明公开了一种直接在导电玻璃上生长氧化钨薄膜的方法。本发明方法的具体步骤如下:首先将六氯化钨、无水乙醇、四氢呋喃和聚乙二醇混合,之后转移到水热反应釜中,并向水热反应釜中放一块FTO导电玻璃,其导电面朝下,恒温水热反应一...
王金敏朱俊宇左月
文献传递
纳米氧化钼薄膜的水热生长、器件制备及其电致变色性能被引量:2
2017年
以金属钼粉为原料制备的过氧钼酸为前驱体溶液,直接在导电玻璃表面水热生长纳米氧化钼薄膜,并组装成电致变色器件,研究了器件的电致变色性能。研究表明:180?C下以过氧钼酸为前驱体溶液水热反应12 h可以得到均匀的薄膜,薄膜由厚约100~150 nm的纳米块组成;在波长720 nm处透过率调制幅度最大,达到13.3%;器件变色较快,其着色时间为3.5 s,褪色时间为2.9 s。
左月马董云许中平王金敏
关键词:电致变色氧化钼水热法
共1页<1>
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