黄晓东 作品数:6 被引量:7 H指数:2 供职机构: 华中理工大学光电子工程系 更多>> 发文基金: 国家自然科学基金 更多>> 相关领域: 电子电信 理学 更多>>
激光作用下多量子阱混迭的热动力学分析 1999年 对InGaAs/InGaAsP多量子阱材料,根据温度场方程计算了两种激光作用下多量子阱混迭技术(PAID及PLD)的横向空间选择性,得到PAID在一般情况下的横向空间选择性为100μm量级,而PLD的理论极限为100μm。同时分析了混迭多量子阱材料的能带结构与组分扩散长度的关系,从理论上提出了低温量子阱材料与扩散长度之间的关系曲线。 李义飞 黄晓东 黄德修 刘雪峰关键词:多量子阱材料 光电子集成 激光技术 SiO_2膜增强InGaAsP超晶格外延片的量子阱混合 被引量:6 2000年 对晶格与 In P匹配的 In Ga As P超晶格结构外延片 ,运用等离子增强化学气相沉积法镀Si O2 膜 ,随后用碘钨灯快速热退火 ,进行无杂质空位扩散 ( IFVD)技术的实验研究 ,测量光致发光谱后得到了最大 50 nm的峰值位置蓝移 ;表明在没有掺杂和没有应变的情况下 ,IFVD仍有较好的处理量子阱材料的能力 .对影响 IFVD工艺的重复性因素进行了探讨 . 黄晓东 黄德修 刘雪峰关键词:超晶格材料 INGAASP 量子阱混合 光子吸收诱导无序技术的光荧光谱研究 2001年 运用 1 0 6 4μm连续输出的Nd∶YAG激光器 ,对与InP晶格匹配的InGaAsP四元系量子阱材料进行了光子吸收诱导无序 (PAID)技术的研究。通过光荧光谱 (PL)的测量 ,证明有量子阱混合现象产生。衬底预加热和聚焦激光束结果表明 ,PAID中辐照时间与衬底温度、辐照的平均功率密度密切相关。聚焦激光照射后的荧光双峰表明PAID有一定的定域处理能力。 黄晓东 黄德修 刘雪峰关键词:ND:YAG激光器 光荧光谱 量子阱混合 InGaAsP四元系量子阱材料的热稳定性 被引量:2 1999年 对与InP晶格匹配的InGaAsP四元系量子阱材料进行了一系列热稳定性能的研究,通过光荧光谱(PL)的测量发现:InGaAsP四元系量子阱材料在650 ℃以上的常规退火条件下有量子阱混合现象产生,而单量子阱结构较多量子阱或超晶格结构更容易产生量子阱混合.对单量子阱片进行快速退火处理后,荧光峰位置、峰宽无明显变化,表明量子阱混合的产生除了依赖于退火温度的高低,也与退火时间的长短密切相关. 黄晓东 黄德修 刘雪峰关键词:INGAASP 半导体 热稳定性 运用Nd:YAG激光器的InGaAsP超晶格激光诱导无序 1999年 对与InP晶格匹配的InGaAsP四元系量子阱材料进行了热稳定性能的研究,通过光荧光谱(PL)的测量发现:量子阱材料在650 ℃以上的常规退火条件下,有最大可达155 m eV 的PL峰值蓝移,表明禁带宽度有明显增大.运用1.064 μm 连续输出的Nd:YAG激光器进行光子吸收诱导无序(PAID)技术的研究,比较量子阱材料被辐照前后荧光谱的峰值位置和谱宽,发现量子阱结构的禁带宽度在激光辐照后有明显增大,证明有量子阱混合现象产生.衬底预加热结果表明,提高衬底温度可减少PAID中的激光辐照时间和平均功率密度. 黄晓东 何健 刘雪峰 黄德修关键词:量子阱混合 聚焦激光束实现InGaAsP超晶格量子阱混合 2000年 研究了晶格与 In P匹配的 In Ga As P超晶格材料的热稳定性 ,实验结果表明在 60 0℃以上的热退火下会产生量子阱混合 .采用 1 .0 64 μm连续输出的 Nd∶YAG激光器对超晶格外延片进行了聚焦辐照 ,室温光荧光谱得到了 1 84 me V的蓝移 ,说明激光辐照与热退火一样会产生量子阱混合效应 ,光荧光谱的双峰位表明运用激光处理量子阱外延片具有一定的空间选择性 .衬底预加热和对激光束的聚焦可以在不减弱处理效果的情况下有效地减少激光辐照的时间 。 黄晓东 刘雪峰 黄德修关键词:量子阱混合 超晶格 INGAASP 激光束 热稳定性