何炜
- 作品数：9 被引量：8H指数：2
- 供职机构：清华大学信息科学技术学院电子工程系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信理学机械工程更多>>
- 俄歇电子能谱数据采集和处理被引量：1
- 1991年
- 本文介绍了微型计算机与俄歇电子能谱仪的接口软硬件及在微机控制下得到的铜样品的俄歇电子能谱,讨论了一次束流、调制电压等实验参数对谱图质量的影响,并总结出最佳实验条件。文中还着重研究了平均法、光滑样条法、积分、微分、卷积及去卷积等数值方法在谱线平滑化、本底扣除和峰形恢复等方面的作用,并建立了一整套俄歇谱线数据处理的算法及程序。作为一个实例,文中还介绍了实测铜峰的峰形恢复过程及结果。
- 俞学东何炜
- 关键词：数据采集俄歇电子平滑度微机控制噪声滤除
- GaAs/Si界面的化学态的研究
- 1993年
- 利用俄歇峰形分析技术对GaAs/Si界面的化学态和电子态进行了研究。提出了一种新的俄歇信号强度标定法——频域法。该方法利用低能俄歇电子较低的逸出深度,在复频域内标定来自最表层原子的俄歇信号强度,避免了二次电子本底和电子逸出平均自由程的影响,从而可以准确判定在界面这种突变结构中元素成分的深度分布信息。利用谱峰修正技术,研究了Ga、As、Si价带跃迁几率在界面不同深度内的变化情况,发现在界面处As-Si有明显的成键作用,Si原子的一部分p电子转移到了As原子空的p轨道中,由此产生了一个新的界面态,该界面态位于GaAs价带顶上方2eV的地方。在对Ga原子价带俄歇跃迁几率进行的研究中,并未发现其价电荷分布有明显的变化,表明Ga原子与其他原子在界面处并未发生明显的成键作用。
- 周惠健何炜
- 关键词：化学态砷化镓硅俄歇效应
- Si(111)表面早期氧化与Si-O成键过程被引量：2
- 1991年
- 用光电子谱(XPS与UPS)和俄歇直读谱峰形分析研究了Si(111)早期氧化和Si-O成键过程。说明氧吸附早期存在“过氧基分子”和氧原子在Si原子上顶位吸附两种状态。随着氧暴置量增加,过氧基分子逐渐消失,而第二层硅原子的背键位置被氧原子占有,同时存在氧原子顶位吸附。氧化层大概有3～4个原子层(约4～5A),存在类SiO_2和类SiO_4的结构,Si3p-O2p和Si3s-O2p键对氧化层俄歇峰形贡献最大。硅氧化过程似乎首先Si3p-O2p成键,随后Si3s-O2p逐步成为次强化学键。
- 齐彦吴虹汪容军李展平何炜孙扬名雍景荫
- 关键词：读谱硅原子氧化层厚度
- 电子能谱仪多通道信号系统升级改造被引量：1
- 2001年
- 一种电子能谱仪多通道数据收集系统升级方案。在SSA(球扇型能量分析器)出口处以多通道板或多只电子倍增器代替单只倍增器,信号经过多路前置放大器后进入电脑,经移位合成后输出所需谱图,其灵敏度为原信号的多倍且分辨率有所提高。
- 王水菊陈宝珠张棋河徐富春汤丁亮何炜彭澎
- 关键词：电子能谱仪
- CVV俄歇电子谱的退自卷积计算被引量：1
- 1991年
- 本文简述了对CVV俄歇电子谱峰退自卷积得到固体表面价带电子占有态密度(DOS)的方法。并讨论了退自卷积的算法,尤其是新的计算方法——下降法。采用这种方法对一些假想和实际的态密度分布函数进行了自卷积计算及其结果的逆计算——退自卷积。获得较fdLM法更为满意的结果。
- 肖斌李展平何炜
- 关键词：下降法价带谱峰高斯分布均方根误差态密度
- 局域电子态密度的俄歇电子谱分析被引量：3
- 1995年
- 采集GaAs／Si界面的各个深度剖面的俄歇线形（Augerlineshape），试图获得局域态密度变化的信息。俄歇信号经过小心处理和一系列修正以消除失真，同时俄歇线形分析藉助因子分析（factoranalysis）来进行。发现在界面中两种化学态并存，某些Si原子与As原子健合，并且每个Si原子将有0．3个p电子转移至As原子上，而其他Si原子保持纯Si元素的Si－Si键。由于Si－As成键而使Si的价带顶稍稍位移，局域态密度（LDOS）幅值明显下降。
- 周惠健王玉琦何炜
- 关键词：局域态密度
- X光电子谱的散射修正
- 1999年
- 运用 Ｗ． Ｓ． Ｍ． Ｗｅｒｎｅｒ等学者的理论模型，研究光电子从产生处向固体表面输运过程中弹性散射和非弹性散射对ＸＰＳ谱峰的影响，计算出散射响应函数，并将其应用于ＡＵ和Ｃｕ的ＸＰＳ峰形修正中，用最大熵非负退卷积方法有效地消除散射响应失真，得到光电子在激发处的真实状态和谱峰。
- 罗昭菊何炜
- 关键词：金铜
- 俄歇电子能谱的峰形修正与峰形分析被引量：1
- 1993年
- 介绍一系列峰形修正的方法——包括本底的扣除、仪器响应函数的修正、非弹性散射影响的消除等,并将其应用于Si(100)表面的俄歇峰形分析中,对于L_(23)VV,L_1L_(23)V峰取得了与理论计算符合很好的结果,从中可以提取出丰富的价带局域电子态信息。
- 周惠健何炜
- 关键词：俄歇电子能谱电子谱峰形AES
- CrMo合金膜的俄歇线形分析
- 1998年
- 对Ar气氛下射频溅射所镀铬钼合金膜，采集不同组分配比的俄歇电子能谱，经平滑、扣除本底处理，得出随铬钼相对比例改变的变化规律。根据俄歇电子跃迁的准原子模型，对谱峰进行曲线拟合，得出铬钼合金膜并非铬钼的单纯机械混合，其外层电子发生了某种转移，利用高斯曲线对所得俄歇谱拟合后，对每个俄歇峰按成分比进行面积归一化，细致分析后得出钼的N_(23)轨道电子数增多，钼的M_(45)，N_1，N_(23)和价带发生变化及移动，并且有一些3d电子从Cr转移到Mo的4d轨道上。而且运用带非负约束的退卷积和退自卷积等新的分析方法，首次利用AES获得了几种不同配比CrMo合金膜的价带态密度分布。
- 黄步雨彭澎何炜
- 关键词：局域态密度
