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文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇氮化
  • 1篇氮化硅
  • 1篇氮化硅薄膜
  • 1篇氧化物
  • 1篇氧化铟
  • 1篇色域
  • 1篇透明电极
  • 1篇铟锡氧化物
  • 1篇显示器
  • 1篇显示器件
  • 1篇量子
  • 1篇量子点
  • 1篇金属
  • 1篇金属氧化物
  • 1篇晶体管
  • 1篇硅薄膜
  • 1篇二极管
  • 1篇发光
  • 1篇发光二极管
  • 1篇薄膜晶体

机构

  • 3篇京东方科技集...
  • 1篇北京理工大学
  • 1篇泰山学院

作者

  • 3篇薛建设
  • 3篇周伟峰
  • 2篇刘翔
  • 1篇戴天明
  • 1篇张学辉
  • 1篇肖静
  • 1篇杨静
  • 1篇孙冰
  • 1篇喻志农
  • 1篇张锋
  • 1篇郝照慧
  • 1篇宁策
  • 1篇惠官宝
  • 1篇贾勇
  • 1篇曹占峰

传媒

  • 1篇液晶与显示
  • 1篇现代显示
  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 2篇2012
  • 1篇2010
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
量子点发光在显示器件中的应用被引量:26
2012年
介绍了量子点材料的发光原理、基本结构,以及量子点LED的特性、制备方法以及其在显示领域的最新进展。量子点LED由于具有发光纯度高、使用寿命长、可由溶液法制备等独特的优点,越来越受到人们的重视,成为显示领域新的研究热点。
张锋薛建设喻志农周伟峰惠官宝
关键词:量子点发光二极管显示器件色域
金属氧化物IGZO薄膜晶体管的最新研究进展被引量:14
2010年
最近几年,金属氧化物IGZO薄膜晶体管成为研究热点,具有高迁移率、稳定性好、制作工艺简单等优点,备受人们关注。文章综述了制作金属氧化物IGZO晶体管的结构及其优缺点,总结了影响金属氧化物IGZO薄膜晶体管性能的因素,并提出了制作高性能金属氧化物IGZO薄膜晶体管的方法。
刘翔薛建设贾勇周伟峰肖静曹占峰
关键词:薄膜晶体管氧化物
改善沉积氮化硅薄膜对FFS-TFT透明电极ITO影响的研究被引量:10
2012年
研究了在FFS-TFT制作工艺中,沉积非晶氮化硅薄膜对透明金属ITO的影响。结果表明沉积氮化硅薄膜的硅烷流量对ITO的透过率有着很大影响,降低硅烷的流量可以阻止薄雾状姆拉的产生。通过优化氮化硅薄膜沉积条件,先在透明导电金属ITO薄膜上面使用低流量硅烷沉积一薄层氮化硅作为缓冲层,然后使用高流量的硅烷在其上再沉积氮化硅薄膜,这样不仅解决了薄雾状姆拉,同时还以提高氮化硅的沉积速率,满足生产需求。
刘翔薛建设周伟峰戴天明郝照慧杨静宁策张学辉孙冰
关键词:铟锡氧化物氮化硅薄雾
共1页<1>
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