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王晋伟

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：天津工业大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇偏析
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体生长
  • 1篇GASB
  • 1篇成分偏析

机构

  • 1篇天津工业大学

作者

  • 1篇刘俊成
  • 1篇王晋伟

传媒

  • 1篇激光与光电子...

年份

  • 1篇2017
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
GaSb和GaInSb晶体制备工艺研究进展
2017年
介绍了GaSb单晶的制备方法,包括提拉(CZ)法、垂直布里奇曼(VB)法、水平布里奇曼(HB)法、垂直定向凝固(VDS)法和垂直梯度冷凝(VGF)法,总结了它们的优缺点。研究结果表明,VB法、VDS法和VGF法更适合GaSb单晶的生长。进一步介绍了三元合金GaInSb晶体生长工艺的研究进展,微重力环境可以有效抑制晶体中In元素的成分偏析,提高晶体的均匀性。简单介绍了GaSb单晶材料在器件制作方面的应用,展望了GaInSb晶体材料的发展前景。
王晋伟刘俊成
关键词：GASB晶体生长成分偏析
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