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李朋杰

作品数：1 被引量：3H指数：1
供职机构：北京大学物理学院核物理与核技术国家重点实验室更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：核科学技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇核科学技术

主题

  • 1篇电阻率
  • 1篇上升时间
  • 1篇数字化
  • 1篇沟道
  • 1篇沟道效应
  • 1篇硅探测器
  • 1篇不均匀性

机构

  • 1篇北京大学

作者

  • 1篇李智焕
  • 1篇江栋兴
  • 1篇杨彪
  • 1篇李晶
  • 1篇叶沿林
  • 1篇李湘庆
  • 1篇楼建玲
  • 1篇陈志强
  • 1篇华辉
  • 1篇田正阳
  • 1篇李奇特
  • 1篇王翔
  • 1篇冯骏
  • 1篇蒋伟
  • 1篇孙晓慧
  • 1篇吴鸿毅
  • 1篇张允
  • 1篇刘强
  • 1篇李朋杰
  • 1篇刘洋

传媒

  • 1篇原子核物理评...

年份

  • 1篇2017
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
硅探测器的数字化脉冲形状甄别被引量：3
2017年
介绍了利用硅探测器的脉冲形状甄别进行粒子鉴别的原理。详细叙述了基于数字化方法的脉冲形状甄别的实现。采样频率和位数是数字化方法的两个重要参数。对于硅探测器信号,采用100 MS/s,12 bit的Digitizer可以满足脉冲形状甄别法对时间分辨的要求。同时对该方法粒子鉴别的特征和能量阈值做了简要的分析和对比。粒子背面入射硅探测器的所得的阈值低于正面入射的情况。例如对于氖周围的同位素,背面入射情况的阈值约为100 MeV,为正面入射情况下鉴别阈值的二分之一,相当与?E-E方法中?E探测器厚度约为60μm情况下的阈值。最后定性讨论了硅探测器的电阻率不均匀性和沟道效应对粒子鉴别性能的影响。
李朋杰李智焕陈志强吴鸿毅田正阳蒋伟李晶冯骏臧宏亮刘强牛晨阳杨彪陶龙春张允孙晓慧王翔刘洋李奇特楼建玲李湘庆华辉江栋兴叶沿林
关键词：硅探测器上升时间沟道效应
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