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主题

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机构

  • 4篇中国电子科技...
  • 1篇江南大学

作者

  • 4篇吴海宏
  • 3篇陈钟鹏
  • 2篇季惠才
  • 1篇彭力
  • 1篇张勇
  • 1篇朱琪

传媒

  • 2篇电子与封装

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2013
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
高速SRAM编译器时序算法
2016年
介绍了一种通用嵌入式存储器(SRAM)编译器时序建模的方法。通过对存储器关键路径延时分析,时序模型采用分段拓展的建模方式,用Rows、Columns来对SRAM进行分段,分别讨论各段对时序的影响。采用双线性插值法对模型进一步优化,较大程度上提高了模型的精度。最后与ARM公司0.13μm工艺的存储编译器进行了验证和对比。结果表明,该模型能够较为精确地描述存储编译器时序。
黄奔彭力吴海宏
关键词:SRAMIP双线性插值
支持DDR数据格式的LVDS接收电路
本发明涉及一种电路,尤其是一种支持DDR数据格式的LVDS接收电路,属于集成电路的技术领域。按照本发明提供的技术方案,所述支持DDR数据格式的LVDS接收电路,包括用于接收若干路LVDS差分数据的LVDS接口接收电路以及...
陈富涛牛洪军吴叶陈钟鹏季惠才吴海宏
文献传递
支持DDR数据格式的LVDS接收电路
本发明涉及一种电路,尤其是一种支持DDR数据格式的LVDS接收电路,属于集成电路的技术领域。按照本发明提供的技术方案,所述支持DDR数据格式的LVDS接收电路,包括用于接收若干路LVDS差分数据的LVDS接口接收电路以及...
陈富涛牛洪军吴叶陈钟鹏季惠才吴海宏
一种夹层电阻结构及其应用
2013年
在模拟电路的设计中,经常会用到一种特殊的夹层电阻,但是关于该电阻的相关介绍较少。文章提出了一种夹层电阻的结构,对其原理进行了详细的分析,在此基础上,利用该夹层电阻,设计了一款支持宽工作电压范围的振荡器。最后,又对该振荡器进行优化改进,使其能适应3~30V的宽工作电压,并且在5.5~30V范围内保持输出频率不变,进一步阐述了该夹层电阻的原理和特性。
吴海宏张勇陈钟鹏朱琪
关键词:MOS管
共1页<1>
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