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于丽君

作品数：1 被引量：7H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司第二研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇多晶硅片
  • 1篇影响因素
  • 1篇少子寿命
  • 1篇均匀性
  • 1篇硅片
  • 1篇厚度

机构

  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 1篇段晋胜
  • 1篇于丽君

传媒

  • 1篇电子工业专用...

年份

  • 1篇2012
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
多晶硅片少子寿命的影响因素研究与分析被引量：7
2012年
为了提高多晶硅片的转换效率,提高多晶硅片少子寿命是一个重要的方法和途径,然而在生产过程中影响多晶硅片少子寿命的因素有很多,主要有杂质含量,硅片厚度及晶粒尺寸均匀性等。通过对分凝原理的研究,利用微波光电导测试原理对多晶硅锭少子寿命的分布做了分析,并对硅片厚度及晶粒尺寸进行研究,经过研究发现,多晶硅片少子寿命主要受原料金属杂质含量的大小,硅片厚度及晶粒尺寸均匀性等因素的影响。
于丽君段晋胜
关键词：多晶硅片少子寿命厚度均匀性
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