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付小倩

作品数:22 被引量:7H指数:1
供职机构:济南大学更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术一般工业技术更多>>

文献类型

  • 21篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 8篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 15篇场板
  • 9篇金属
  • 8篇漂移区
  • 7篇导通
  • 7篇氧化层
  • 6篇导通电阻
  • 6篇电场
  • 6篇电场分布
  • 6篇电阻
  • 5篇栅氧化
  • 5篇栅氧化层
  • 4篇电荷
  • 4篇介质层
  • 4篇金属互连
  • 4篇金属互连线
  • 4篇晶体管
  • 4篇互连
  • 4篇互连线
  • 3篇源极
  • 3篇接触区

机构

  • 22篇济南大学
  • 1篇广州大学

作者

  • 22篇付小倩
  • 21篇李阳
  • 18篇李志明
  • 3篇高嵩
  • 1篇梁华
  • 1篇范智海

传媒

  • 1篇微计算机信息

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 7篇2020
  • 1篇2019
  • 11篇2018
  • 1篇2007
22 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种带有电荷可调型场板的P型LDMOS结构
本发明公开了一种带有电荷可调型场板的P型LDMOS结构,包括:N型半导体衬底,N型半导体衬底上设有P型漂移区和N型阱,在N型阱上设有P型源区、N型接触区和栅氧化层,在P型漂移区上设有P型漏区和场氧化层,其特征在于,所述场...
张春伟付小倩李阳王靖博岳文静李志明李威
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横向可集成的肖特基结势垒场效应管
本发明提出了一种横向可集成的肖特基结势垒场效应管,包括:N型衬底,所述N型衬底表面设有源极金属、栅介质层和漏极金属,所述栅介质层上方设有栅电极,所述源极金属和N型衬底之间以及漏极金属和N型衬底之间的接触为肖特基接触。由于...
张春伟李阳李志明岳文静付小倩
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一种带有场板辅助掺杂区的N型LDMOS结构
本发明公开了一种带有场板辅助掺杂区的N型LDMOS结构,包括P型半导体衬底;P型半导体衬底上设有N型漂移区和P型阱;P型阱上设有N型源区和P型接触区;N型漂移区上设有N型漏区和场氧化层;在部分N型漂移区和部分P型阱上方设...
张春伟李阳李威岳文静付小倩李志明王靖博
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一种基于矩形晶格排列的彩色滤光片及其制备方法和应用
本发明涉及彩色滤光片技术领域,尤其涉及一种基于矩形晶格排列的彩色滤光片及其制备方法和应用。所述滤光片结构为:包括透明衬底,透明覆盖层和纳米柱,所述纳米柱固定在透明衬底的表面上,所述透明覆盖层填充在纳米柱之间,且将纳米柱包...
岳文静李阳高嵩张春伟付小倩
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一种基于矩形晶格排列的彩色滤光片及其制备方法和应用
本发明涉及彩色滤光片技术领域,尤其涉及一种基于矩形晶格排列的彩色滤光片及其制备方法和应用。所述滤光片结构为:包括透明衬底,透明覆盖层和纳米柱,所述纳米柱固定在透明衬底的表面上,所述透明覆盖层填充在纳米柱之间,且将纳米柱包...
岳文静李阳高嵩张春伟付小倩
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带有宽度渐变型场板的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管
本发明公开了一种带有宽度渐变型场板的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管,包括:源极金属以及与源极金属相对的漏极金属,所述源极金属上连接宽度渐变型金属场板,所述宽度渐变型金属场板包括沿宽度方向排布的若干宽度渐变型金属层,每...
张春伟李阳王靖博岳文静付小倩李志明
无线传感器网络高效路由协议设计与实现被引量:7
2007年
集成了传感器、嵌入式计算、网络和无线通信四大技术而形成的无线传感器网络是一种全新的信息获取和处理技术,本文在借鉴了各类成熟路由协议的基础上,以有效节约能源,延长网络生命周期为目的,设计出一种基于协商机制的层次型路由协议—。并最后经ns2平台上的仿真测试,NBLEP基本达到了无线传感器网络路由协议设计目标。
范智海付小倩梁华施维
关键词:无线传感器网络协商机制NS2
带有可调型场板的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管
本发明提出了一种带有可调型场板的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管,包括:场氧化层和位于场氧化层下方的漂移区,在所述场氧化层的表面设置若干可调型场板,相邻两个可调型场板之间间隔设定距离;每一个可调型场板均连接调节电容;通...
张春伟岳文静李阳付小倩李志明
一种带有电荷可调型场板的横向绝缘栅双极型晶体管
本发明公开了一种带有电荷可调型场板的横向绝缘栅双极型晶体管,包括P型衬底,P型衬底上设有N型漂移区和P型阱,P型阱上设有阴极接触区和第一场氧化层,N型漂移区上设有P型阳极接触区和第二场氧化层,第一场氧化层和第二场氧化层上...
张春伟岳文静付小倩李志明李阳
带有耦合场板的高电子迁移率晶体管
本发明提出了一种带有耦合场板的高电子迁移率晶体管,包括:衬底;衬底上方设有缓冲层;缓冲层上方设有沟道层;沟道层上方设有源电极、漏电极和势垒层,且源电极和漏电极位于势垒层的两端,势垒层位于源电极和漏电极的中间;势垒层上方设...
张春伟李阳岳文静李志明付小倩
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共3页<123>
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