孙保瑞
- 作品数：7 被引量：1H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 功率芯片金-硅焊接空洞研究
- 2024年
- 金-硅(Au-Si)焊接通常用于装配射频电路中大功率的芯片,对芯片空洞率的要求极高,以此降低芯片装配的热阻和提高装配的可靠性,Au-Si焊接的主要方式为保护气氛下共晶摩擦焊。为降低Au-Si共晶摩擦焊的空洞率,对焊接载体的镀层进行研究,通过使用镍-钴(Ni-Co)镀层替代Ni镀层,增加Ni-Co镀层厚度,改善焊接效果,提高芯片装配的可靠性。
- 王朋范国莹白红美孙保瑞鲍帅李保第
- 关键词：空洞率
- 共振声子THz QCL有源区结构设计
- 2011年
- 利用Airy函数代换与传输矩阵方法精确计算了有外加偏压下电子在共振声子太赫兹量子级联激光器有源区单个周期内的透射系数与波函数,得到了不同偏压下的电子波函数分布以及准束缚态能级位置与外加偏压的关系曲线。在仿真计算的基础上设计了一种共振声子太赫兹量子级联激光器的有源区结构。计算结果表明,对于设计的结构,当单个周期两端的外加偏压为45 mV时达到太赫兹工作点。此时,发射区内E3能级和E2能级对应的波函数能够交叠,相应发射波属于太赫兹频段,波长为98.0μm,频率为3.05 THz。电子在弛豫区内E2和E1能级间跃迁发出的能量为36.0 meV,与GaAs的纵向光学声子能量(36 meV)相同,有利于粒子数反转。
- 牛晨亮王健王建峰师巨亮韩颖夏英杰孙保瑞
- 关键词：粒子数反转
- 太赫兹量子级联激光器注入区结构研究被引量：1
- 2015年
- 主要研究了THz量子级联激光器注入区结构的隧穿特性。通过量子力学方程设计出透射率最大的注入区结构。模拟结果表明,周期间势垒宽度为4.7 nm时,注入区的透射率最大。对于含有此注入区的QCL结构,模拟了在不同偏压下,电子波函数的空间分布和能级位置,进而模拟出该模型的隧穿点。计算结果表明,当每个周期两端的外加偏压为45 mV时达到THz工作点,同时满足周期间的电子隧穿条件。之后通过器件工艺,把外延片制作成实验样品。电流电压(I-V)测试曲线表明,在周期间偏压为50 mV时发生隧穿,这和理论计算的周期偏压为45 mV十分接近。
- 王健牛晨亮王建峰师巨亮韩颖夏英杰孙保瑞
- 关键词：隧穿透射率波函数能级
- 一种氧化镓场效应晶体管及其制备方法
- 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种氧化镓场效应晶体管及其制备方法。该制备方法，包括：在n型氧化镓沟道层、源电极和金属掩膜的表面制备光刻胶，随后对光刻胶进行烘烤和回流处理，形成光刻胶斜面；在光刻胶斜面上垂直注入元素，形...
- 刘宏宇吕元杰孙保瑞王元刚李保第胡泽先韩仕达卜爱民冯志红
- 肖特基二极管制备方法及肖特基二极管
- 本发明提供一种肖特基二极管制备方法及肖特基二极管。该方法包括：利用高温热氧化工艺对N<Sup>+</Sup>型氧化镓衬底进行氧化处理，得到形成在N<Sup>+</Sup>型氧化镓衬底上表面的第一N<Sup>‑</Sup>...
- 吕元杰王元刚刘宏宇秦哲李保弟孙保瑞周国卜爱民冯志红
- 纳米银烧结GaN射频功率芯片研究
- 2024年
- 为了解决纳米银浆无压烧结GaN射频功率芯片时,高长宽比管芯出现的两端烧结不良问题,利用红外热像仪和扫描电镜等分析手段研究烧结过程,对纳米银浆的烧结机制进行了深入研究,对比多款烧结银浆的烧结效果,提出了半烧结银的工艺方案,成功解决了高长宽比芯片两端烧结不良的问题,实现了纳米银浆在GaN射频功率芯片无压烧结方面的工艺突破,以期在GaN高功率射频工程化应用中得到广泛推广。
- 白红美孙保瑞范国莹李保第
- 关键词：红外热像仪
- 肖特基二极管制备方法及肖特基二极管
- 本发明提供一种肖特基二极管制备方法和肖特基二极管。该方法包括：利用高温热氧化工艺对目标N<Sup>+</Sup>型氧化镓衬底进行氧化处理，得到形成在目标N<Sup>+</Sup>型氧化镓衬底上表面的第一N<Sup>‑</...
- 吕元杰王元刚刘宏宇秦哲李保弟孙保瑞周国卜爱民冯志红
