宋国新
- 作品数：4 被引量：10H指数：2
- 供职机构：复旦大学分析测试中心更多>>
- 发文基金：上海大学创新基金上海市自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术更多>>
- Lu_2O_3:Tb薄膜的制备、结构和发光性能被引量：1
- 2010年
- 采用Pechini溶胶-凝胶法结合旋涂技术在单晶硅衬底上制备出了均匀、无裂纹的掺Tb3+的Lu2O3(Lu2O3:Tb)薄膜。用热重-差示扫描量热法分析了前驱体干凝胶在室温至1000℃下发生的热分解现象。利用X射线衍射和Fourier红外光谱和原子力显微镜研究了热处理温度对Lu2O3:Tb薄膜的晶相、化学组成和表面形貌的影响。结果表明:在550～1000℃间热处理的Lu2O3:Tb薄膜为多晶氧化镥立方结构,晶粒尺寸随温度升高而逐渐长大至30nm左右。在220nm紫外光激发下,Lu2O3:Tb薄膜呈现出较强的绿光发射,主发射峰分别位于542nm和551nm处。随着热处理温度的提高,Lu2O3:Tb薄膜中缺陷减少,发光强度增强。
- 谢杰施鹰谢建军邱华军宋国新
- 关键词：溶胶-凝胶法形貌发射光谱
- Mo:Sb:PbWO_4闪烁晶体的生长与发光性能被引量：3
- 2009年
- 采用坩埚下降法生长了Mo:Sb:PbWO4(Mo:Sb:PWO)晶体。通过透射光谱、X射线激发的发射谱、光产额和荧光寿命的测试,研究了Mo,Sb双掺杂对PbWO4晶体的光谱和闪烁性能的影响。结果表明:与未掺杂晶体相比,掺杂样品提高了PWO晶体在350～430nm波段的透过率,消除了350nm吸收,吸收边变得陡峭并且向长波方向偏移。Mo:Sb:PWO晶体的发光谱存在400～650nm的宽带,发光主峰为510nm,发光强度得到提高。尺寸为10mm×10mm×20mm的Mo:Sb:PWO晶体样品,在1000ns的积分时间门宽内光产额最大值可达70photon-electrons/MeV,约为Bi4Ge3O12(BGO)光产额的7.2%。光产额的提高主要来自于Mo:Sb:PbWO4晶体发光中的慢发光成分的增加。
- 谢建军施鹰王剑袁晖宋国新陈良
- 关键词：透射光谱光致发光谱光产额闪烁晶体
- 溶胶-凝胶法制备纳米级硅酸镥粉体的发光性能被引量：4
- 2010年
- 采用溶胶-凝胶法制备了Lu2SiO5:Ce粉体。基于X射线衍射、透射电镜、紫外-可见激发发射、X射线激发发射和荧光衰减时间的测试,研究了溶胶-凝胶法制备的纳米Lu2SiO5:Ce粉体的物相结构和发光性能。结果表明:在1000℃煅烧2h得到粒径约为40nm的纯Lu2SiO5:Ce粉体;其激发谱中的最强激发峰在360nm处,发射谱中在398～407nm范围有以407nm为中心的宽发射峰,归因为Ce3+的4f-5d间的电子跃迁。在X射线激发下Lu2SiO5:Ce粉体的发光表现出二级发光衰减行为,衰减时间分别为τ1=10.98ns和τ2=39.32ns,相应的发光强度比例分别为73.38%和21.29%。
- 谢建军林挺施鹰宋国新吴卫平
- 关键词：纳米粉体
- 阴离子掺杂钨酸铅晶体的生长与发光性能研究被引量：2
- 2009年
- 本文报道了阴离子F-,Cl-,I-和S2-掺杂的PbWO4晶体的生长与发光性能。通过对掺杂PbWO4晶体的X射线粉末衍射、紫外可见区的透过光谱、光致激发、光产额和发光衰减特性进行了测试表征,结果表明:F-掺杂能使PbWO4晶体在短波方向的透过率明显提高,显著提高PbWO4晶体的发光强度,但增加的发光强度主要来自于慢发光的贡献。而随着掺杂阴离子半径和电荷数的增加,PbWO4晶体的发光强度逐渐降低,并且PbWO4晶体吸收截止边逐渐向长波方向移动。
- 谢建军施鹰王剑袁晖宋国新陈良陈俊锋
- 关键词：PBWO4晶体光产额
