您的位置: 专家智库 > >

李现兵

作品数:6 被引量:0H指数:0
供职机构:国家电网公司更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 6篇中文专利

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 4篇芯片
  • 3篇模组
  • 2篇电感
  • 2篇电阻
  • 2篇瞬态
  • 2篇凸台
  • 2篇轴向
  • 2篇轴向位移
  • 2篇集电极
  • 2篇关断
  • 2篇发射极
  • 2篇IGBT器件
  • 1篇导电性能
  • 1篇电感参数
  • 1篇电流
  • 1篇电流参数
  • 1篇电压
  • 1篇电压参数
  • 1篇热阻
  • 1篇总电阻

机构

  • 6篇国家电网公司
  • 4篇国网浙江省电...
  • 4篇全球能源互联...
  • 2篇华北电力大学
  • 2篇全球能源互联...
  • 2篇国网山东省电...

作者

  • 6篇李现兵
  • 3篇张朋
  • 2篇温家良
  • 1篇张喆

年份

  • 4篇2018
  • 2篇2017
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
一种基于IGBT器件的电感提取方法及装置
本发明公开一种基于IGBT器件的电感提取方法及装置,其中方法包括:获取待测IGBT器件在开通瞬态下第一电流参数和第一电压参数、关断瞬态下第二电流参数和第二电压参数;选择第一电流参数和第二电流参数相同的数参数作为目标电流参...
唐新灵张朋李现兵张喆武伟林仲康韩荣刚石浩田丽纷张璧君王亮
一种功率半导体芯片测试单元
本实用新型提供了一种功率半导体芯片测试单元,所述测试单元包括集电极、被测芯片子模组、PCB板、固定框架和发射极;集电极和发射极的外部侧壁上分别设置有集电极限位凹槽和发射极限位凹槽,固定框架的内部侧壁上设置有限位凸台;集电...
邓二平李现兵张朋温家良
文献传递
一种半导体器件的烧结方法及半导体器件的制造方法
本发明提供的半导体器件的烧结方法及半导体器件的制造方法,所述半导体器件包括半导体芯片、金属基板以及设置在所述半导体芯片与所述金属基板之间的焊膏,半导体器件的烧结方法包括:将所述半导体器件升温至第一预定温度;在酸性环境下保...
王亮田丽纷李现兵张朋武伟林仲康石浩张喆唐新灵
文献传递
一种功率半导体芯片测试单元及其测试方法
本发明提供了一种功率半导体芯片测试单元及其测试方法。与现有技术相比,所述测试单元包括集电极、被测芯片子模组、PCB板、固定框架和发射极;集电极和发射极的外部侧壁上分别设置有集电极限位凹槽和发射极限位凹槽,固定框架的内部侧...
邓二平李现兵张朋温家良
文献传递
一种基于IGBT器件关断的电感提取方法及装置
本发明公开一种基于IGBT器件关断的电感提取方法及装置,其中方法包括:获取待测IGBT器件在关断瞬态下的负载电流值、待测IGBT器件的集电极的至少四个不同关断电流值和发射极与集电极之间的至少四个不同关断电压值;根据测试参...
唐新灵张喆李现兵张朋武伟林仲康韩荣刚石浩田丽纷张璧君王亮
一种功率器件模组及其制备方法
本发明提供一种功率器件模组及其制备方法,该功率器件模组包括:功率芯片、第一金属膜及第二金属膜,第一金属膜与第二金属膜分别设置于功率芯片的上表面和下表面,解决了现有压接型功率器件接触热阻和接触电阻较高,从而导致功率器件散热...
田丽纷王亮李现兵石浩张朋唐新灵林仲康韩荣刚张喆
共1页<1>
聚类工具0