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王芳

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司第四十七研究所更多>>
发文基金：上海市自然科学基金更多>>
相关领域：自动化与计算机技术更多>>

合作作者

题名
作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 1篇功率器件
  • 1篇SOI_LD...
  • 1篇SOI材料

机构

  • 1篇中国科学院
  • 1篇温州大学
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 1篇宋朝瑞
  • 1篇俞跃辉
  • 1篇杨文伟
  • 1篇程新红
  • 1篇姜丽娟
  • 1篇王芳

传媒

  • 1篇微处理机

年份

  • 1篇2007
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SOI LDMOS功率器件的研究与制备被引量：1
2007年
根据REUSRF原理,对器件参数进行优化。采用与常规CMOS工艺兼容的技术,在SIMOX片上制备了薄膜SOI LDMOS功率器件。器件呈现良好的电学性能:漏极偏压5V时,泄漏电流仅为1nA;当漂移区长度为4μm时,关态击穿电压达到50V,开态击穿电压大于20V;器件的输出曲线在饱和区光滑,未呈现翘曲现象,说明体接触有效地抑制了部分耗尽器件的浮体效应。这种SOI LDMOS结构非常适合高温环境下功率电子方面的应用开发。
程新红杨文伟宋朝瑞俞跃辉姜丽娟王芳
关键词：SOI材料功率器件
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