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赵志斌

作品数：126 被引量：6H指数：1
供职机构：海南师范大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金海南省自然科学基金海南省高等学校科学研究项目更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺理学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 122篇专利
  • 4篇期刊文章

领域

  • 28篇电子电信
  • 6篇金属学及工艺
  • 4篇理学
  • 2篇化学工程
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇机械工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇建筑科学
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇交通运输工程

主题

  • 76篇激光
  • 44篇半导体
  • 39篇半导体激光
  • 33篇激光器
  • 20篇衬底
  • 18篇势垒
  • 18篇势垒层
  • 16篇腔面
  • 16篇波导
  • 15篇深紫外
  • 15篇二极管
  • 14篇全固态
  • 13篇发光
  • 13篇半导体激光器
  • 12篇发光二极管
  • 12篇倍频
  • 12篇波长
  • 9篇镀膜
  • 9篇激光阵列
  • 9篇半导体激光阵...

机构

  • 126篇海南师范大学
  • 1篇长春理工大学
  • 1篇吉林大学

作者

  • 126篇赵志斌
  • 50篇彭鸿雁
  • 11篇张铁民
  • 6篇沈振江
  • 4篇王艺臻
  • 4篇许珂
  • 3篇羊大立
  • 1篇吴伟
  • 1篇姜宏伟
  • 1篇潘孟美

传媒

  • 1篇中国激光
  • 1篇光电子技术
  • 1篇光学与光电技...
  • 1篇海南师范大学...

年份

  • 1篇2025
  • 6篇2024
  • 13篇2023
  • 19篇2022
  • 44篇2021
  • 31篇2020
  • 6篇2019
  • 5篇2018
  • 1篇2016
共 126 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种用于固定半导体激光器圆形透镜的夹具
本发明涉及一种用于固定半导体激光器圆形透镜的夹具，所述半导体激光器具有多维调整架，包括：夹具固定部、第一夹持部、两个夹持固定部、两个第二夹持部及锁紧部，本发明通过将第一夹持部的一端面和两个第二夹持部相对的端面都成设计成内...
杨禹霖乔忠良万浩然张雨欣曲轶陈浩赵志斌刘国军李再金李林曾丽娜
一种带有V型腔的全固态准三能级228.5nm脉冲激光器
本发明公开一种带有V型腔的全固态准三能级228.5nm脉冲激光器，沿光路方向依次包括：半导体激光器、耦合光学系统、V型腔及非线性晶体；其中：所述V型腔包括：第一分臂、第二分臂、第一分臂与第二分臂相交处的镜片M；所述第一分...
赵志斌 曲轶彭鸿雁 谢琼涛 乔忠良 李再金 李林
一种垂直外腔面发射半导体激光器
本发明属于半导体光电子技术领域，涉及一种半导体激光器。一种垂直外腔面发射半导体激光器结构一种垂直外腔面发射半导体激光器由热沉，蓝宝石衬底，缓冲层，同质结DBR层，势垒层，有源区，隧道结层，电流注入层，窗口层及DBR外腔镜...
李林曾丽娜李再金乔忠良赵志斌曲轶彭鸿雁
一种780nm分布反馈布拉格半导体激光器腔面膜结构
本发明公开了一种780nm分布反馈布拉格半导体激光器腔面膜结构，包括780nm分布反馈布拉格半导体激光bar条（1）、前腔面膜（2）和后腔面膜（3）。前腔面膜（2）包括第一层膜10.00 nm Si（4）、第二层膜229...
李再金韦龙马宇航丁可可曾丽娜李林赵志斌陈浩乔忠良曲轶刘国军
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一种基于GOI结构的诱导应变半导体激光器及其制备方法
本发明公开了一种基于GOI结构的诱导应变半导体激光器包括衬底，衬底为N型单晶硅衬底；衬底上表面依次生长二氧化硅或三氧化二铝低折射率氧化物层、单晶锗层；单晶锗层上通过电极工艺和离子注入分区掺杂工艺从左至右依次制备p++重掺...
乔忠良赵志斌李再金陈浩刘国军李林曲轶
文献传递
一种边发射半导体激光芯片腔面镀膜夹具
本发明公开了一种边发射半导体激光芯片腔面镀膜夹具，包括；第一托板1；固定滑板2；第二托板3。第一托板1包括：定位孔1‑1、定位孔1‑2、定位孔1‑3和定位孔1‑4。第二托板3包括：定位孔3‑1、定位孔3‑2、定位孔3‑3...
李再金曲轶李林乔忠良赵志斌曾丽娜彭鸿雁
文献传递
一种水平空气柱电流注入孔径结构的垂直腔面发射激光器
本发明属于半导体光电子技术领域，涉及一种水平空气柱电流注入孔径结构的垂直腔面发射激光器（VCSEL）结构及其制备方法，包括底部同质结分布布拉格反射镜（DBR）和顶部同质结DBR以及电流注入孔径的制作方法，从而实现GaN基...
李林曾丽娜李再金赵志斌乔忠良曲轶彭鸿雁
基于V型腔和环形腔结构的全固态准三能级228.5nm激光器
本发明公开了一种基于V型腔和环形腔结构的全固态准三能级228.5nm激光器，该激光器沿光路方向依次包括：泵浦源、第一耦合光学系统、V型腔以及环形腔；其中：所述V型腔包括：第一分臂、第二分臂以及第一分臂与第二分臂相交处的镜...
赵志斌 曲轶彭鸿雁 谢琼涛 徐东昕沈振江 刘国军
一种采用界面失配阵列技术在GaAs衬底上生长GaSb的方法
本发明是一种采用界面失配阵列技术在GaAs衬底上生长GaSb的方法。在GaAs衬底上，生长在GaSb，明亮的AlSb垒层及夹于其间的InAs/GaSb量子阱清晰可见、各材料层间界面突变明显、结构中没有缺陷和位错出现，表明...
刘国军徐东昕李再金陈浩赵志斌曾丽娜乔忠良李林曲轶
一种深紫外波长激光发射装置
本发明公开了一种深紫外波长激光发射装置，包括808nm半导体激光器；808nm聚焦镜；Nd:YVO<Sub>4</Sub>激光晶体；平面镜；LBO倍频；平凹镜A；CLBO倍频晶体；平凹镜B；228.5nm滤光片。808n...
李再金曲轶李林乔忠良赵志斌曾丽娜彭鸿雁
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