黄云
- 作品数：21 被引量：38H指数：4
- 供职机构：工业和信息化部电子第五研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广州市科技计划项目广东省科技计划工业攻关项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术航空宇航科学技术更多>>
- 电子材料超低本底α粒子测试技术及试验研究
- 2022年
- 首先,介绍了3种关键的电子材料超低本底α粒子发射测试技术,包括α粒子来源甄别、宇宙射线信号识别和氡气本底来源判别技术;然后,通过进一步地开展试验研究,发现锡铅合金焊料的表面α粒子发射率远高于锡银铜合金焊料,发射能谱分析表明二者发射的α粒子均来自材料自身的^(210)Po核素,而经提纯处理后的合金焊料的表面α粒子发射率显著地下降。研究结果对高可靠性、大规模电子系统α粒子软错误测试和评价,以及提升产品可靠性具有重要的意义。
- 罗俊洋张战刚雷志锋雷志锋彭超岳少忠张鸿钟向丽孙常皓黄奕铭何玉娟黄云
- 关键词：电子材料Α粒子发射率能谱
- Failure mode and mechanism of the RF-AlGaN/GaN HEMTs under high temperture operation stress
- AlGaN/GaN HEMTs are attracting considerable attention as high temperature,high-power and high-frequency device...
- 曾畅王远生廖雪阳李汝冠陈义强来萍黄云恩云飞
- 关键词：RELIABILITYALGAN/GANHEMTFAILURE
- 空间高能离子在纳米级SOISRAM中引起的单粒子翻转特性及物理机理研究被引量：1
- 2017年
- 基于蒙特卡罗方法研究空间高能离子在65—32 nm绝缘体上硅静态随机存取存储器(SOI SRAM)中产生的灵敏区沉积能量谱、单粒子翻转截面和空间错误率特性及内在的物理机理.结果表明:单核能为200 MeV/n的空间离子在60—40 nm厚的灵敏区中产生的能损歧离导致纳米级SOI SRAM在亚线性能量转移阈值区域出现单粒子翻转;宽的二次电子分布导致灵敏区仅能部分收集单个高能离子径迹中的电子-空穴对,致使灵敏区最大和平均沉积能量各下降25%和33.3%,进而引起单粒子翻转概率降低,以及在轨错误率下降约80%.发现俘获带质子直接电离作用导致65 nm SOI SRAM的在轨错误率增大一到两个数量级.
- 张战刚雷志锋岳龙刘远何玉娟彭超师谦黄云恩云飞
- 关键词：绝缘体上硅单粒子翻转二次电子
- 超大规模FPGA的单粒子效应脉冲激光测试方法被引量：4
- 2018年
- 建立了一种28nm HPL硅工艺超大规模SRAM型FPGA的单粒子效应测试方法。采用静态测试与动态测试相结合的方式,通过ps级脉冲激光模拟辐照实验,对超大规模FPGA进行单粒子效应测试。对实验所用FPGA的各敏感单元(包括块随机读取存储器、可配置逻辑单元、可配置存储器)的单粒子闩锁效应和单粒子翻转极性进行了研究。实验结果证明了测试方法的有效性,揭示了多种单粒子闩锁效应的电流变化模式,得出了各单元的单粒子效应敏感性区别。针对块随机读取存储器、可配置逻辑单元中单粒子效应翻转极性的差异问题,从电路结构方面进行了机理分析。
- 刘宇翔张战刚杨凯歌雷志锋黄云恩云飞
- 关键词：FPGA单粒子效应脉冲激光
- 智能手机大气中子单粒子效应试验研究被引量：2
- 2021年
- 基于中国散裂中子源BL09终端提供的宽能谱中子束流,开展智能手机大气中子单粒子效应试验研究。发现死机、内存清空和音频波形失真等故障现象,源于中子在7 nm FinFET工艺CPU、DRAM和Flash芯片中引起的单粒子效应。计算由高能中子和热中子产生的各种故障类型的FIT值,发现高能中子产生的错误率较热中子高5~9倍。观测到录音波形出现幅度整体下降、时间维度的前后移位和局部波形失真等异常现象。试验结果表明,大气中子单粒子效应对地面数以亿计的消费电子产品有显著的影响,必须在产品设计时进行加固处理。
- 林倩黄奕铭黄奕铭张战刚王松林李斌吴朝晖雷志锋吴朝晖雷志锋何玉娟黄云恩云飞
- 关键词：智能手机热中子软错误单粒子效应
- 基于TCAD的绝缘体上硅器件总剂量效应仿真技术研究被引量：2
- 2019年
- 绝缘体上硅(Silicon-on-Insulator,SOI)器件的全介质隔离结构改善了其抗单粒子效应性能,但也使其对总剂量效应更加敏感.为了评估SOI器件的总剂量效应敏感性,本文提出了一种基于TCAD(Technology Computer Aided Design)的总剂量效应仿真技术.通过对SOI器件三维结构进行建模,利用TCAD内置的辐射模型开展瞬态仿真,模拟氧化层中辐射感应电荷的产生、输运和俘获过程,从而分别评估绝缘埋层(Buried Oxide,BOX)和浅沟槽隔离(Shallow Trench Isolation,STI)氧化层中辐射感应陷阱电荷对器件电学性能的影响.基于该仿真技术,本文分别研究了不同偏置、沟道长度、体区掺杂浓度以及STI形貌对SOI MOSFET器件总剂量辐射效应的影响.仿真结果表明高浓度的体区掺杂、较小的STI凹槽深度和更陡峭的STI侧壁将有助于改善SOI器件的抗总剂量效应性能.
- 彭超雷志锋张战刚何玉娟黄云恩云飞
- 关键词：绝缘体上硅总剂量效应
- 核电动力设备健康管理与维护系统设计
- 发展高质量、高可靠的核电动力系统是世界各国相关装备的重要发展方向.装备的故障预测与健康管理(PHM)技术是综合利用现代信息技术、人工智能技术的最新研究成果而提出的一种全新的管理健康状态的解决方案.本文以核电动力系统为例,...
- 时林林周振威成立业俞鹏飞贾寒光黄云恩云飞
- 关键词：健康管理
- 绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管中辐射导致的寄生效应研究被引量：1
- 2018年
- 基于^(60)Coγ射线源研究了总剂量辐射对绝缘体上硅(silicon on insulator, SOI)金属氧化物半导体场效应晶体管器件的影响.通过对比不同尺寸器件的辐射响应,分析了导致辐照后器件性能退化的不同机制.实验表明:器件的性能退化来源于辐射增强的寄生效应;浅沟槽隔离(shallow trench isolation, STI)寄生晶体管的开启导致了关态漏电流随总剂量呈指数增加,直到达到饱和; STI氧化层的陷阱电荷共享导致了窄沟道器件的阈值电压漂移,而短沟道器件的阈值电压漂移则来自于背栅阈值耦合;在同一工艺下,尺寸较小的器件对总剂量效应更敏感.探讨了背栅和体区加负偏压对总剂量效应的影响, SOI器件背栅或体区的负偏压可以在一定程度上抑制辐射增强的寄生效应,从而改善辐照后器件的电学特性.
- 彭超恩云飞李斌雷志锋张战刚何玉娟黄云
- 关键词：绝缘体上硅总剂量效应寄生效应
- GaN MIS-HEMT偏置温度不稳定性表征和寿命预测
- 2022年
- MIS-HEMT是最有前景的GaN HEMT器件结构之一,其通过引入高势垒的绝缘介质层,可以极大地抑制栅极泄漏电流,从而降低静态功耗。然而,额外的绝缘介质层在绝缘介质层和AlGaN界面处引入了大量的缺陷,使得MIS-HEMT的可靠性非常差,在偏置电压下的阈值电压的漂移极大,即偏置温度不稳定性(BTI)老化严重。与硅不同,GaN MIS-HEMT中绝大多数的缺陷都属于可恢复缺陷,随着栅极电压的变化可以反复地充放电,因此其BTI的恢复效应要远大于硅。采用单点I_(d)测量方法,将GaN MIS-HEMT阈值电压(V_(th))的测量从传统直流(DC)法的秒级缩短到了1 ms,构建了考虑恢复效应的GaN MIS-HEMT的BTI老化物理模型,预测了器件的寿命。试验结果表明,传统DC法严重地低估了BTI退化,在ΔV_(th)=1 V的失效判据下,传统DC法预测的器件寿命比考虑恢复效应的单点I_(d)法测得的寿命高了4个数量级。
- 高汭王斌赵鹏林晓玲章晓文章晓文陈义强贺致远黄云
- 关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管
- 基于频谱响应特性的集成电路故障预测技术
- 2017年
- 提出了一种基于频谱响应特性的集成电路故障预测技术,该技术成功实现了数字芯片SP3232E在故障诊断与故障预测中的应用,并验证了其在电子元器件的故障诊断与故障预测上的可行性与有效性。实验结果表明,该方法的故障诊断准确率高达92%以上;该数字器件延时信号经过频谱分析后的相位与其对应的退化率呈单指数函数关系,且随着扫频频率的减小,器件的相位增加,退化率减小,退化率50%~80%对应的相位区间可定义为器件的故障诊断阈值或预警区间;在低频下相位的变化速度更慢,故该方法在低频下的故障预测误差更小,故障预测精度更高。
- 叶琳陆裕东王歆黄云何春华侯波
- 关键词：集成电路故障诊断故障预测
