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刘明举

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：国家纳米科学中心更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文专利

主题

  • 3篇锗量子点
  • 3篇量子点
  • 2篇光电转化效率
  • 2篇硅基
  • 2篇复合结构
  • 2篇复合结构材料
  • 1篇速率
  • 1篇退火
  • 1篇量子
  • 1篇量子点材料
  • 1篇溅射
  • 1篇硅基底
  • 1篇腐蚀速率
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射

机构

  • 3篇国家纳米科学...

作者

  • 3篇裘晓辉
  • 3篇戴庆
  • 3篇王小伟
  • 3篇李振军
  • 3篇刘明举
  • 2篇杨晓霞
  • 2篇白冰
  • 2篇胡海
  • 2篇李娟
  • 1篇许应瑛
  • 1篇程志海

年份

  • 1篇2017
  • 2篇2015
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
一种硅基锗量子点复合结构材料、其制备方法及应用
本发明涉及一种硅基锗量子点复合结构材料，所述复合结构材料包括多孔硅基底和生长在所述多孔硅基底上的锗量子点。本发明采用超声增强的办法提高硅基底的腐蚀速率和孔的均匀性，在量子点生长方面采用磁控溅射和后期退火的生长过程；本发明...
李振军白冰杨晓霞刘明举李娟胡海王小伟戴庆裘晓辉
文献传递
一种层状锗量子点材料及其制备方法
本发明提供一种层状锗量子点材料及其制备方法，该方法包括：在基片上交替沉积SiO<Sub>2</Sub>层和Ge层，并且进行退火。采用本发明的方法能够制备层状分布的Ge量子点材料。本发明提供的锗量子点材料的Ge量子点大小不...
许应瑛李振军刘明举王小伟戴庆程志海裘晓辉
文献传递
一种硅基锗量子点复合结构材料、其制备方法及应用
本发明涉及一种硅基锗量子点复合结构材料，所述复合结构材料包括多孔硅基底和生长在所述多孔硅基底上的锗量子点。本发明采用超声增强的办法提高硅基底的腐蚀速率和孔的均匀性，在量子点生长方面采用磁控溅射和后期退火的生长过程；本发明...
李振军白冰杨晓霞刘明举李娟胡海王小伟戴庆裘晓辉
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