赵春华
- 作品数：6 被引量：12H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学交通运输工程更多>>
- 与CMOS兼容的硅基波导型光电探测器的研究
- 2009年
- 硅基波导型光电探测器作为一类重要的光电探测器,由于其能与标准的CMOS工艺兼容以及制备工艺简单等性能,因而在光电子单片集成方面具备广阔的市场应用前景。文章着重阐述了通过离子注入引入深能级、Ge/Si自组装岛、SOI波导共振腔增强和AlGaInAs-Si混合集成等四种方式来制备硅基光电探测器的研究现状和研究进展,并对四类器件的结构,制作工艺和光电性能指标进行了详细地介绍。
- 曾凡平韩培德高利朋冉启江毛雪赵春华米艳红
- 关键词：深能级缺陷
- 波矢方向对二维光子晶体能带及应用的影响被引量：7
- 2006年
- 利用平面波法分析了由介电常数为13和1的两种介质分别构成圆形柱和背景组成的三角晶格、蜂巢状晶格和正方晶格,波矢偏离周期性平面对它们能带分布及应用的影响。波矢偏离周期性平面分量增加,对色散曲线的影响表现在:波矢在周期性平面内形成的带隙逐渐减小,甚至消失;低频端出现不存在模式区域,并且该区域逐渐变宽;出现新的简并能级,原有的简并能级简并解除或消失;能带趋于平坦化;易于在低阶能带间形成绝对带隙等。波矢偏离周期性平面时,对三种晶格形成带隙情况分析得到:三角晶格和蜂巢状晶格形成的绝对带隙比正方晶格形成的绝对带隙宽,能更有效地减小发生自发发射的概率;三角晶格绝对带隙的宽度在泄漏模区域比蜂巢状晶格要宽,所以三角晶格比蜂巢状晶格更适合用作反射镜等。
- 陆晓东韩培德全宇军叶志成吴黎陈彦超赵春华
- 关键词：光电子学光子晶体光子带隙平面波法
- 晶硅太阳电池掺杂技术的发展
- 中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室集成光电子学国家重点实验室光电子器件国家工程中心国家照明中心材料重点实验室半导体集成技术中心纳米光电子实验室高速电路及神经网络实验室全固态激光实验室光电子系统实验室
- 韩培德梁鹏胡少旭赵春华
- 晶硅太阳电池中的离子注入掺杂及其格修复离子注入掺杂及其晶格修复
- History of Ion Implantation Ion Implantation:1)是一种对材料表层改性的方法.2)将杂质电离成离子并聚焦成离子束,在电场中加速而获得极高的动能后,注入到半导体中,从而实现掺杂....
- 韩培德梁鹏胡少旭王帅朱慧时赵春华
- 格点形状和取向对二维光子晶体禁带的影响被引量：4
- 2005年
- 以椭圆形和正方形介质柱组成的二维正方晶格为例,讨论了格点形状和取向变化时对光子晶体能带的影响,对比分析了波矢在周期性平面和不在周期性平面2种情况下的能带图。计算表明:格点形状和取向的适当变化可以使没有完全带隙的光子晶体出现完全带隙,低阶的完全带隙转变成高阶完全带隙。此外,经对比发现:波矢偏离周期性平面对椭圆形介质柱的正方晶格形成的完全带隙的影响,要比正方形介质柱正方晶格的完全带隙的影响要大得多。
- 陆晓东韩培德全宇军叶志成窦金锋吴黎赵春华
- 关键词：光子晶体平面波法
- 高阶布拉格光栅在SOI脊形波导上的光刻制作被引量：1
- 2009年
- 在SOI脊形波导上通过光刻的方法制作了高阶布拉格光栅。采用顶层Si厚为2μm的SOI基片，通过半导体芯片制备中的光刻工艺，在脊高为935nm，波导宽度为2肛m的脊形波导上，分别制作了刻蚀深度为565nm和935nm的起伏型高阶布拉格光栅，测试表明，在1540～1640nm波长范围内，得到了大于10dB的消光比，实现了高阶布拉格光栅在SOI脊形波导上的滤波效果。理论和实验都证明了光栅刻蚀深度的增大将有利于增加高阶布拉格光栅的耦合系数，以及光栅周期数的增加会引起更大的光栅损耗。
- 冉启江韩培德全宇军高利朋曾凡平赵春华
- 关键词：脊形波导光刻SOI
