公共文化服务平台

共 2 条记录，以下是 1-2

全选清除导出

排序方式：

SiC晶体结晶缺陷分布演化研究: 本文采用高分辨X射线衍射仪(HR-XRD)、显微聚焦拉曼光谱仪、偏光显微镜等对SiC晶片以及整个晶锭中结晶缺陷的分布进行了表征，重点研究了SiC的结晶缺陷和多晶型分布、形成及演化的规律以及与生长条件的关系，为优化SiC晶...; 郭啸刘学超忻隽杨建华施尔畏; 关键词：半导体材料

拉曼面扫描表征氮掺杂6H-SiC晶体多型分布被引量：1: 2012年; 采用物理气相传输法(Physical Vapor Transport,PVT)沿[0001]方向生长了一个直径为2英寸的氮掺杂6H-SiC晶体.采用拉曼面扫描方法对晶体中多型的分布进行了细致表征,研究了SiC晶体生长过程中多型的产生和演化.在6H-SiC晶体中观察到了15R-SiC和4H-SiC两种多型.在拉曼面扫描得到的晶体多型分布图上观察到了两类次多型结构区域,一类是继承其生长界面上对应的次多型结构形成的次多型结构区;另一类是由温度、压力等生长条件波动导致在6H-SiC主多型中出现的15R-SiC多型结构区.第一类次多型结构区中掺入的氮元素较多,载流子浓度较高,并且随着晶体生长不断扩大;第二类次多型结构区对晶体结晶质量的影响较小,且提高生长温度可以抑制15R-SiC多型结构.; 郭啸刘学超忻隽杨建华施尓畏; 关键词：拉曼碳化硅面扫描

全选清除导出

共1页<1>

郭啸