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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇钝化
  • 1篇钝化处理
  • 1篇C-V特性
  • 1篇CZT
  • 1篇P-
  • 1篇C-V

机构

  • 1篇西北工业大学

作者

  • 1篇介万奇
  • 1篇汪晓芹
  • 1篇杨戈
  • 1篇查刚强
  • 1篇付莉
  • 1篇李强

传媒

  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇2006
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
p-CZT的钝化处理和C-V特性研究
2006年
采用NH4F/H2O2作为p-CZT晶片的表面钝化剂,对未钝化与钝化表面处理的p-CZT晶片的C-V特性进行了对比研究。用XPS分析了钝化前后CZT晶体表面成分,发现钝化后CZT晶片表面形成厚度为3.1 nm的TeO2氧化层。用Agilent 4294A高精度阻抗分析仪,在1MHz下对未钝化的和钝化的CZT晶片进行C-V测试。对测试结果的计算表明,钝化提高了Au与CZT接触的势垒高度b。未钝化的b为1.393 V,钝化后b变为1.512 V。
李强介万奇付莉汪晓芹查刚强杨戈
关键词:钝化C-V特性
共1页<1>
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