王亚彬
- 作品数：3 被引量：8H指数：2
- 供职机构：西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金西北工业大学基础研究基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
- HgInTe晶片表面化学抛光研究被引量：4
- 2009年
- 对HgInTe(MIT)晶片表面化学抛光工艺进行了研究,采用不同浓度的Br2-C3H7ON以及Br2-MeOH作为抛光液对MIT晶片进行化学抛光后发现,5%Br2-C3H7ON抛光液的抛光速度平稳且易于控制,抛光3min后可以有效去除表面划痕,获得光亮表面,表面形貌达到最佳效果。AFM分析结果表明,5%Br2-C3H7ON抛光后的晶片表面粗糙度降低67%,平整度显著增加。相比之下,5%Br2-MeOH抛光液抛光速度过快,抛光后的表面形貌较差。
- 杨杨王领航介万奇王亚彬傅莉
- 关键词：化学抛光腐蚀速率表面粗糙度
- CdTe(110)表面原子与电子结构的第一性原理研究被引量：4
- 2011年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理计算了CdTe(110)表面的原子和电子性质。结果表明,CdTe(110)理想表面在禁带中出现两个明显的表面态,弛豫后表层Cd原子和Te原子p态电子发生转移,Cd原子趋向于sp2平面杂化构型,Te原子趋向p3杂化的锥形构型。经过表面弛豫大大降低了表面能,增大了表面功函数,表面占据态和表面空态分别被推进价带顶之下和导带底之上,导致弛豫表面没有明显的表面态。
- 王亚彬黄育红查钢强介万奇
- 关键词：密度泛函理论表面态CDTE
- 非催化剂法制备ZnO纳米线阵列的近带边高分辨变温光致发光性能研究
- 2013年
- 采用CVD法在a-面蓝宝石衬底上制备了ZnO籽晶层,然后在籽晶层上用碳热还原法制备了高质量的ZnO纳米线阵列。发现生长后的ZnO纳米线阵列具有良好的近带边发光性能,束缚激子发光峰半峰宽<500!eV。通过变温PL测试,确定3.37737eV的发光峰为自由激子发光,分别通过Vina模型和Vashni模型对其进行拟合,发现在60K以下Vashni模型的拟合相当好,而在60～150K,Vina模型的拟合效果更优。3.29eV处的峰为DAP峰,计算可得样品中的施主浓度为1.8×1018cm-3。
- 谢涌介万奇王涛崔岩高俊宁于晖王亚彬
- 关键词：ZNO纳米线光致发光束缚激子X射线衍射
