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胡功臣
作品数:
1
被引量:5
H指数:1
供职机构:
江苏师范大学物理与电子工程学院
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
一般工业技术
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合作作者
徐庆强
江苏师范大学物理与电子工程学院
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徐庆强
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2013
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空位和B、N、Al、P掺杂对Li在石墨烯上吸附的影响
被引量:5
2013年
采用基于密度泛函理论的第一性原理计算了空位和B、N、Al、P掺杂对Li在石墨烯上吸附的影响,结果表明:Li原子在完整石墨烯上吸附的稳定位置为心位,吸附高度在覆盖度低于1/40 ML时趋于恒值;B、N、P原子掺杂比Al掺杂石墨烯容易;杂质类型对Li在石墨烯上的吸附位置有显著的影响;空位和B、Al、P替位掺杂均加强了Li在石墨烯上的吸附,Al替位掺杂对Li在石墨烯上吸附的影响相对较大;Al、P掺杂改变了Li的稳定吸附位置(由心位移到顶位);Li在空位缺陷和N掺杂石墨烯上吸附后,两体系具有磁性,Li吸附在B-graphene、Al-graphene、P-graphene体系磁矩为零,不显示磁性。
肖永欣
胡功臣
徐庆强
关键词:
石墨烯
空位
第一性原理
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