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高越

作品数：1 被引量：2H指数：1
供职机构：辽宁大学物理学院更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇导通
  • 1篇导通电阻
  • 1篇电阻
  • 1篇特征导通电阻
  • 1篇物理模型
  • 1篇VDMOS
  • 1篇VDMOSF...

机构

  • 1篇辽宁大学
  • 1篇中国人民解放...

作者

  • 1篇石广源
  • 1篇张俊松
  • 1篇钟玲
  • 1篇高越

传媒

  • 1篇辽宁大学学报...

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
条形栅VDMOS特征导通电阻的物理模型被引量：2
2008年
详细地介绍了一种新型实用的VDMOSET特征导通电阻的物理解析模型.该模型不仅物理概念清晰,有利于定型指导器件的研制和生产,而且简单、实用.
张俊松高越钟玲石广源
关键词：VDMOSFET特征导通电阻物理模型
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