周震
- 作品数：4 被引量：13H指数：2
- 供职机构：北京大学物理学院更多>>
- 发文基金：北京市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学化学工程更多>>
- 铜铟硒薄膜的外延生长和表面重构及其电池性能研究被引量：1
- 2011年
- 在GaAs的(110)、(001)和(111)A、(111)B等极性晶面上,通过铜铟共溅-硒蒸镀的方法,分布外延生长出(220/204)、(001)和(112)结晶取向的单晶CIS薄膜.系统考察了CIS薄膜外延生长的结晶取向和表面微结构,发现了这些CIS外延薄膜均需表面重构化而形成比表面能低的CIS(112)晶面,结合晶体结构研究了各种晶面和比表面能的相关性.通过各种衬底下不同结晶取向的CIS薄膜的太阳能电池组装,发现当CIS薄膜生长具有(220/204)结晶取向时电池器件性能最好、效率最高,说明可通过控制CIS薄膜的沉积条件和选用合适取向的衬底,增加吸收层(220/204)的结晶取向,从而显著提高CIS薄膜太阳电池的光电性能.
- 周震赵夔王耀明黄富强
- 关键词：太阳电池性能
- 直流磁控反应溅射法制备大面积AZO薄膜的实验研究被引量：7
- 2009年
- 用锌铝合金靶在苏打玻璃上制备大面积AZO半导体透明薄膜,降低了靶材费用。实验中采用靶体旋转的直流磁控溅射工艺,提高了靶材利用率,实现了大面积均匀镀膜,并能获得定向生长的薄膜。文章介绍了采用该方法制备大面积薄膜的实验,并用X射线衍射仪、扫描电子显微镜等多种分析方法对大面积薄膜的结构、形貌、电学性能及光学性能进行分析,实验结果表明,采用合金靶做靶源,氩作工作气体,控制好氧气分压,大功率溅射可以获得定向性好、致密、均匀、透射率高、电阻率低的优质大面积(300 mm×300mm)AZO薄膜。
- 焦飞廖成韩俊峰周震
- 关键词：ZNO反应溅射
- 基底温度对四元叠层硒化法制备铜铟镓硒(CIGS)薄膜的影响被引量：2
- 2009年
- 利用四元叠层硒化法制备了铜铟镓硒(缩写为CIGS)薄膜,重点分析了在叠层法制备CIGS薄膜过程中,基底温度对CIGS薄膜的晶体结构,表面形貌以及各种元素沿深度分布的影响。实验结果表明,在叠层法制备CIGS薄膜时,发现在550℃的基底温度时,不经过退火便可以生成CIGS晶体,表面Ga的含量处于比较合适的范围。而基底温度为500℃,450℃时,只能生成铜铟硒(CIS)晶体,Ga元素表面的含量较少,主要分布在薄膜底部。
- 谢华木廖成焦飞周震韩俊峰赵夔陆真冀
- 以溅射为主的叠层硒化法制备大面积铜铟镓硒薄膜被引量：3
- 2008年
- 本文采用基于溅射为主的四元叠层硒化法制备大面积铜铟镓硒薄膜.分别利用SEM与EDX对四元叠层这一新方法制备的薄膜进行微观结构分析与成分分布分析。结果发现,在采用四元叠层发制备CIGS薄膜中,提高衬底温度,控制Se源温度即控制预置层中Se的含量可以有效的改善薄膜的微观结构,对已经制备完毕的薄膜进行二次退火,不但可以获得比较好的微观结构,同时还可以有效的控制Ga在薄膜内部沿深度方向的分布。
- 焦飞廖成周震韩俊峰谢华木赵夔
