苏春燕
- 作品数:1 被引量:5H指数:1
- 供职机构:三明学院物理与机电工程系更多>>
- 发文基金:福建省教育厅科技项目更多>>
- 相关领域:理学更多>>
- 内建电场和杂质对双电子柱形量子点系统束缚能的影响被引量:5
- 2011年
- 在有效质量近似下,采用变分法,研究了内建电场和杂质对双电子柱形GaN/Al_rGa_(1-x)N量子点系统束缚能的影响。结果表明:杂质带负电时,体系基态能量都比较大,不易形成稳定的束缚态。带电量为e的施主杂质位于量子点中心时,杂质电子的束缚能随量子点高度和半径的增加先缓慢增大后减小,存在最大值;随着Al含量的增加,体系的束缚能增大。随着杂质从量子点下界面沿z轴移至上界面,体系的束缚能先增大后减小。与单电子杂质态相比,内建电场对双电子量子点系统束缚能的影响比较显著;当量子点高度L<6 nm时,杂质双电子量子点系统的束缚能大于单电子杂质态束缚能,而当量子点高度L>6 nm时,杂质双电子量子点系统的束缚能小于单电子杂质态束缚能。
- 郑冬梅王宗篪苏春燕
- 关键词:柱形量子点内建电场束缚能