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文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇多晶硅薄膜
  • 1篇氧化层
  • 1篇稳定性
  • 1篇可靠性
  • 1篇可靠性研究
  • 1篇硅薄膜
  • 1篇硅化钛
  • 1篇发雾
  • 1篇TDDB
  • 1篇LPCVD
  • 1篇场板
  • 1篇超薄
  • 1篇超薄氧化
  • 1篇超薄氧化层
  • 1篇QBD

机构

  • 3篇中国电子科技...

作者

  • 3篇许帅
  • 2篇刘国柱
  • 2篇吴晓鸫
  • 2篇王新胜
  • 1篇陈杰
  • 1篇徐政
  • 1篇徐超
  • 1篇林丽

传媒

  • 3篇电子与封装

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
LPCVD多晶硅薄膜发雾的形成与消除被引量:1
2012年
LPCVD多晶硅薄膜发雾对CMOS器件性能有重大影响,文章分析了多晶硅薄膜发雾的形成机理与影响因素,指出了低温、低压以及保持气路系统的清洁是消除多晶"发雾"的有效措施。根据多晶硅薄膜雾状斑点的形状与分布位置,对硅片表面缺陷的来源进行了分类,并从清洗工艺、污染物成分分析、前道工序等方面提出了相应的解决措施。
许帅徐超王新胜刘国柱
关键词:LPCVD多晶硅薄膜发雾
超薄氧化层制备及其可靠性研究
2011年
文章简述了超薄氧化层SiO2的击穿机理,采用了恒定电流法表征超薄氧化层TDDB效应,并研究了清洗方法、氧化温度、氧化方式等工艺因素对超薄氧化层的可靠性影响。实验表明,在850℃、900℃等高温条件下,可通过干氧N/O分压的方法制备厚度4nm~5nm、均一性小于2.0%超薄氧化层;RCA清洗工艺过程中,APM中的NH3.H2O含量过高,会对衬底硅表面产生损伤,致使氧化层的早期失效高,击穿电荷量QBD差;在干氧N/O分压的过程中,采用N2退火,可有效地改善超薄氧化层的致密性,从而提高氧化层QBD。通过实验进行优化,在800℃、O2/DCE、N2退火条件下,可制备5nm氧化层,其可靠性能为:最大击穿电压49.1V,平均击穿电压7.1V,击穿电场16.62MV.cm-1,早期失效率3.85%,击穿电荷量QBD>15C.cm-2点可达61.54%。
刘国柱陈杰林丽许帅王新胜吴晓鸫
关键词:超薄氧化层TDDBQBD
硅化钛场板的工艺条件与特性研究
2013年
场板的制备工艺与特性研究对提高RF LDMOS大功率器件的可靠性与耐高压性有重要意义。文中制备了一种"Si衬底-SiO2-多晶-硅化钛-金属"结构的场板,分析了其工艺条件对特性的影响,并优化其工艺条件。实验表明:PESiO2加200 nm的多晶介质层具有较好的BT CV稳定性,多晶注入后退火温度与硅化钛退火温度的提高不利于场板电阻与平带电压的稳定性。优化后的工艺条件下,该场板结构具有较好的可靠性与耐高压性。
许帅徐政吴晓鸫
关键词:硅化钛场板稳定性
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