陈潇
- 作品数：3 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
- 相关领域：理学电气工程电子电信更多>>
- GaN单晶中Mg含量的SIMS定量分析方法
- 2020年
- GaN材料是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料,在其单晶材料的研制过程中,掺杂剂Mg的含量对生长p型GaN有重要影响,所以对Mg浓度的精确测定至关重要。采用相对灵敏度因子法,以离子注入样品为参考样品,对GaN单晶中Mg元素含量的二次离子质谱(SIMS)定量分析方法进行了研究,并通过改变扫描面积,使GaN单晶中Mg元素浓度的检测限达到5.0×1015 cm-3。该方法具有高稳定性(精密度小于10%)和可靠性,在没有可溯源参考样品的情况下,可自制参考样品实现对GaN晶体中Mg含量的SIMS定量分析。该方法成为GaN单晶中Mg杂质含量的可行的检测方法之一。
- 何友琴马农农陈潇张鑫刘立娜
- 关键词：氮化镓镁
- GD-MS法在测定太阳能级多晶硅中痕量杂质中的应用研究
- 2025年
- 采用辉光放电质谱法(GD-MS)对太阳能级多晶硅中的Na、B、Ni、Co、Fe、Mn、Cu、Ti、Mg等痕量杂质元素进行了测定,通过优化并选择GD-MS的工作参数,考察了在半定量条件下GD-MS法测定痕量杂质的精密度。结果表明,采用GD-MS法测定太阳能级多晶硅中Na、B、Ni、Co、Fe、Mn、Cu、Ti、Mg等元素时相对标准偏差都小于30%。并将GD-MS法的测定结果与电感耦合等离子质谱法(ICP-MS)的测定结果进行了对比,结果表明两者的测试结果基本一致,从而证明了GD-MS法在测定太阳能级多晶硅中痕量杂质方面的有效性。
- 王鑫陈潇何友琴张鑫王东雪
- 关键词：辉光放电质谱法
