杨家明
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
- 供职机构：昆明冶金研究院更多>>
- 发文基金：云南省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- Si表面制备GaAs单晶薄膜的反相畴消除
- 2002年
- 极性半导体GaAs在非极性半导体Si表面外延生长 ,普遍选用 (10 0 )面Si材料作衬底 ,外延时由于Ga ,As原子占据不合适的晶格位置 ,通常导致结构缺陷———反相畴产生 ,而选用(10 0 )面偏向 [0 11]方向 4°或 (2 11)面的Si作衬底 。
- 刘翔吴长树张鹏翔赵德锐陈庭金廖仕坤杨家明
- 关键词：极性半导体反相畴
- 两步生长和直接生长GaAs/Si单晶薄膜的比较被引量：1
- 2002年
- 报道了采用热壁外延 (HWE)技术 ,在 (10 0 ) ,(111)和 (2 11)三种典型Si表面通过两步生长和直接生长法制备GaAs单晶薄膜 ,经过拉曼光谱、霍尔测试和荧光光谱分析比较 ,得出结论 :(1)相同取向Si衬底 ,两步生长法制备的GaAs薄膜结晶质量比直接生长法制备的GaAs薄膜的要好 ;(2 )采用HWE技术在Si上异质外延GaAs薄膜 ,其表面缓冲层的生长是降低位错、提高外延质量的基础 ;(3)不同取向Si衬底对GaAs外延层结晶质量有影响 ,(2 11)面外延的GaAs薄膜质量最好 ,(10 0 )面次之 ,(111)
- 刘翔吴长树张鹏翔角忠华赵德锐陈庭金廖仕坤杨家明
- 关键词：GAAS/SI
