王致远
- 作品数：5 被引量：4H指数：1
- 供职机构：重庆邮电大学光电工程学院更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- APD前置放大模块电路建模与仿真分析被引量：1
- 2007年
- 采用SACM-APD电路模型以及对前置放大电路的分析,建立了APD前置放大模块电路模型,并对模型进行瞬态特性和交流特性仿真分析。模拟得到响应度约为400kV/W;信号沿上升下降时间为6ns,-3dB带宽约为73MHz,与研制的APD前置放大模块实际试验测试值相吻合。
- 王致远
- 关键词：前置放大电路
- 半导体激光器腔面镀膜技术研究进展
- 2007年
- 本文介绍了近年来半导体激光器腔面镀膜技术的研究进展，重点综述了膜系设计，工艺技术、薄膜材料及测试技术等几个方面的研究热点和重要成果，最后还对半导体激光器腔面镀膜的未来进行展望。
- 王致远刘方楠李发明
- 关键词：增透膜高反膜脉冲激光沉积
- ICP刻蚀技术在808nm激光器中的应用被引量：1
- 2007年
- 主要分析了不同工艺参数对于刻蚀图形的影响，包括刻蚀侧壁角度，刻蚀表面平整度，选择比，侧向钻蚀等几个方面，及ICP刻蚀对激光器性能的影响，通过对翔蚀图形的控制，使2寸片内均匀性〈±5％，侧壁角达到79°～81°。
- 廖柯王致远
- 关键词：ICP选择比刻蚀损伤
- 四象限InGaAs APD探测器的研究
- 2007年
- 文章中设计的四象限InGaAs雪崩光电二极管(Avalanche Photo Diode,APD)的管芯结构采用正入光式平面型结构,而材料结构采用吸收区、倍增区渐变分离的APD结构,在对响应时间、暗电流和响应度等参数进行计算与分析的基础上,优化了器件结构参数。试验结果表明,其响应时间≤1.5 ns,响应度≥9.5 A/W,暗电流≤40 nA,可靠性设计时使PN结和倍增层均在器件表面以下,可有效抑制器件表面漏电流,提高器件的可靠性。
- 王致远李发明刘方楠
- 关键词：响应度暗电流
- ICP刻蚀技术在808nm激光器中的应用被引量：2
- 2007年
- 主要研究了GaAlAs/GaAs多层结构波导的ICP(inductiveIy coupled plasma)刻蚀,评述了使用PECVD制作的SiO2做掩膜的优点,分析了气体选择比对侧向钻蚀控制的影响,并初步分析了刻蚀损伤.比较了不同工艺参数对于刻蚀图形的影响,包括刻蚀侧壁角度,刻蚀表面平整度,选择比,侧向钻蚀等几个方面,并对ICP刻蚀对激光器性能的影响.通过对刻蚀图形的控制,使2 in.芯片内均匀性<±5%,侧壁角达到79°-81°,最后给出了经干法与湿法刻蚀后,器件的一些性能参数.
- 王致远
- 关键词：ICP选择比刻蚀损伤
