公共文化服务平台

共 4 条记录，以下是 1-4

全选清除导出

排序方式：

基于有限元算法和人工神经网络结合的多芯片LED光源多物理场分析被引量：2: 2019年; 多芯片LED光源的可靠性分析涉及到光、电、热多个物理场,高精度的多场分析结果会导致计算资源过多、计算时间过长、计算难度大等问题。为解决上述问题,本文分别利用传统的有限元算法(FEM)和高效的人工神经网络方法(ANN)进行LED光源温度分析,并讨论两种方法的优劣性。最后,通过将FEM分析单一传热物理场的优势与ANN计算时间短、计算资源需求低的优势相结合,归纳出一种更为高效的方法来进行多芯片LED光源的散热分析。利用该方法,ANN的预测数据与训练数据之间的相关系数达到了0.997 79,预测结果与实际热分布图有良好的匹配,计算资源相比传统的FEM方法节约了59%。该方法的应用能够在满足精度的前提下耗费更少的计算资源和时间,同时提高了分析的灵活性。除此之外,该方法对求解大功率LED光源寿命等可靠性问题也具有一定的参考价值。; 刘宏伟于丹丹牛萍娟牛萍娟张赞允郭凯张建新张建新王闯吴超瑜; 关键词：多场耦合人工神经网络

金属表面等离子体对GaN-LED光提取特性的影响被引量：1: 2019年; 为了提高光提取效率,分析在GaN发光二极管(LED)结构中的光波矢传播模型,并分析Ag光子晶体的表面等离激元和能带结构;同时模拟未覆盖和覆盖Ag光子晶体的GaN-LED结构的发光,通过改变Ag光子晶体直径、周期和入射光的角度,分析不同晶格方向的GaN-LED的光提取效率。结果表明:当Ag光子晶体的周期为800 nm、直径为70 nm时,GaN-LED的总透射率达到最大值,光提取效率提高了34.43%。; 刘宏伟刘雨鑫于丹丹王迪郭凯郏成奎; 关键词：GAN发光二极管光子晶体

利用干涉光刻技术制备LED表面微纳结构: 2017年; 为了制备大面积周期性微纳米结构以提高LED的发光效率,建立了劳厄德(Lloyd)干涉光刻系统。简单分析了该干涉光刻系统的工作原理,并介绍了利用干涉曝光工艺制备一维光栅、二维点阵、孔阵列等纳米结构图形的具体实验过程。最后对纳米图形进行结构转移,制备出了金属纳米结构。实验结果表明:利用劳厄德干涉光刻系统,可以在20 mm×20 mm大小的ITO衬底上稳定制备出周期为450 nm的均匀光栅或二维点阵列图形结构,它们的占空比也是可以调节变化的。; 程俊超刘宏伟耿照新郭凯于丹丹宁平凡李晓云张建新; 关键词：干涉光刻发光二极管

LED光谱温度特性测试与分析被引量：2: 2016年; 搭建由半导体制冷片和光谱仪组成的LED变温发光特性测试系统，使用多通道温度测试仪记录芯片工作温度，得到LED芯片在30-80℃范围内的发光特性与温度的关系。结果表明：在输入电流恒定时，随着芯片材料温度的不断升高，LED的电功率和光功率降低，LED光效下降趋势明显；同时由于材料禁带宽度减小， GaN LED的蓝光峰值波长发生红移；通过上述测试，利用数值拟合方式得到了芯片发光特性与温度之间的函数关系。; 刘宏伟杨华程俊超郭凯; 关键词：光效温度峰值波长

全选清除导出

共1页<1>

郭凯