张燕
- 作品数：6 被引量：11H指数：3
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- FA/OⅡ型螯合剂对多层Cu布线CMP后BTA去除的研究被引量：2
- 2016年
- 在化学机械抛光（CMP）过程中,加入苯并三氮唑（BTA）抑制Cu界面和布线条的腐蚀。但同时,会与Cu发生化学反应生成的Cu-BTA钝化膜是CMP后主要的清洗对象之一。采用FA/OⅡ型螯合剂作为清洗液的主要成分,采用接触角测试仪及原子力显微镜来表征BTA的去除效果。通过改变FA/OⅡ型螯合剂的浓度完成一系列对比实验,确定最佳的清洗效果。通过对比实验得知,当清洗液中螯合剂的浓度为1.50×10^-4-200×10^-4时,此时清洗液的pH值〉10,能有效去除Cu-BTA钝化膜以及其它残留的有机物,接触角下降到29°,表面的粗糙度较低。
- 邓海文檀柏梅张燕高宝红王辰伟顾张冰
- Cu CMP平坦化中螯合剂与氧化剂的协同作用
- 2015年
- 研究了在铜化学机械抛光(CMP)平坦化中螯合剂与氧化剂的协同作用。铜CMP抛光液主要由SiO2磨料、非离子表面活性剂、螯合剂和氧化剂组成。针对不同比例螯合剂与氧化剂的协同作用,分别对抛光/静态腐蚀速率、电化学、片内非均匀性及平坦化、表面粗糙度进行了检测。通过对实验数据进行理论分析,研究表明当螯合剂与氧化剂的比例约为1∶1时,平坦化效果最好。研究为进一步优化抛光液配比,最终实现Cu CMP的全局平坦化提供了一定的理论基础。
- 闫辰奇刘玉岭张金王辰伟张燕邓海文安春燕
- 关键词：CMP螯合剂氧化剂平坦化
- 磨料粒径对多层Cu布线CMP的影响被引量：3
- 2015年
- 阐述了碱性抛光液中磨料的质量传递作用对多层Cu布线化学机械抛光(CMP)过程中抛光速率和抛光后晶圆表面状态的影响,通过对比不同磨料粒径抛光液在3英寸(1英寸=2.54 cm)铜晶圆上的抛光实验结果,分析了不同磨料粒径抛光液的抛光速率以及抛光后晶圆的表面状态,选择了一种粒径为100 nm、质量分数为3%的磨料,粗抛(P1)的抛光速率达到650 nm/min,抛光后晶圆表面粗糙度由10.5 nm降至2.5 nm,大大提高了抛光后晶圆的表面状态以及平坦化效果,可对多层Cu布线CMP过程中磨料的选择提供一定的参考。
- 武鹏周建伟何彦刚刘玉岭秦然张燕
- 关键词：粒径抛光速率
- 氧化剂在TSV铜膜CMP中钝化机理被引量：3
- 2015年
- 为实现TSV硅衬底表面铜去除速率的优化,对影响TSV铜去除速率的最主要因素抛光液组分(如磨料、螯合剂、活性剂和氧化剂)中的氧化剂进行分析。通过对不同体积分数的氧化剂电化学实验进行钝化机理的研究,从而得到最佳的氧化剂体积分数,再进行铜的静态腐蚀实验和抛光实验对铜的去除速率进行验证。实验结果表明,氧化剂体积分数为0.5%时铜具有较高的去除速率,能够满足工业需要。最后,对CMP过程机理和钝化机理进行分析,进一步验证了氧化剂在TSV铜化学机械平坦化中的作用。
- 张燕刘玉岭王辰伟闫辰奇邓海文
- 关键词：去除速率开路电位氧化剂
- 螯合剂在TSV CMP中对铜膜抛光效果的影响
- 2015年
- 化学机械抛光(CMP)是硅通孔(TSV)工艺中的关键步骤之一,抛光工艺和抛光液是影响抛光效果的两大决定因素。主要研究了抛光液中螯合剂在TSV CMP中对铜膜去除速率及抛光后铜膜表面粗糙度的影响,由实验结果可知,随着抛光液中螯合剂体积分数的增加,铜膜去除速率先增加后趋于平衡,螯合剂体积分数为5%时铜膜的去除速率最大,约为1 450 nm/min;随着抛光液中螯合剂体积分数的增加,抛光后铜膜表面粗糙度先减小后增大,螯合剂体积分数为5%时铜膜表面粗糙度最小,约为1.77 nm。
- 洪姣刘玉岭牛新环王辰伟闫辰奇张金张燕
- 关键词：螯合剂碱性抛光液去除速率
- FA/O碱性清洗液对GLSI多层Cu布线粗糙度的优化被引量：3
- 2015年
- 采用自主研发的FA/O碱性清洗液对多层Cu布线表面粗糙度进行优化。通过改变清洗液中螯合剂与活性剂的体积分数,做单因素实验,得到最佳配比。利用原子力显微镜观察布线片表面清洗前后粗糙度的变化,电化学测试仪测试各种清洗液对晶圆表面的腐蚀情况。通过对比实验得出当FA/O碱性清洗液中FA/O II螯合剂体积分数为0.015%,O-20活性剂体积分数为0.15%时,表面粗糙度值最小为1.39 nm,而且表面和界面均没有腐蚀。
- 邓海文檀柏梅张燕顾张冰
- 关键词：粗糙度
