刘海晓
- 作品数：4 被引量：17H指数：4
- 供职机构：河北工业大学更多>>
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- 相关领域：电子电信更多>>
- ULSI硅衬底CMP速率稳定性的研究被引量：4
- 2010年
- 介绍了ULSI硅衬底的抛光工艺,并对其抛光机理进行了理论分析。通过对抛光液循环使用过程中CMP速率稳定性及其影响因素进行深入系统的分析,得出pH值、抛光温度和黏度等因素的变化是影响抛光速率稳定性的主要原因。并提出改进方案:控制好温度范围和流量的改变,以及循环中适当增加新的抛光液。为CMP速率稳定性的研究提供了有意义的借鉴。
- 赵巧云周建伟刘玉岭刘效岩刘海晓
- 关键词：化学机械抛光硅衬底去除速率稳定性
- 低压力Cu布线CMP速率的研究被引量：4
- 2010年
- 采用低介电常数材料(低k介质)作为Cu布线中的介质层,已经成为集成电路技术发展的必然趋势。由于低k介质的低耐压性,加工的机械强度必须降低,这对传统化学机械抛光(CMP)工艺提出了挑战。通过对CMP过程的机理分析,提出了影响低机械强度下Cu布线CMP速率的主要因素,详细分析了CMP过程中磨料体积分数、氧化剂体积分数、FA/O螯合剂体积分数等参数对去除速率的影响。在4.33 kPa的低压下通过实验得出,在磨料体积分数为20%,氧化剂体积分数为3%,FA/O螯合剂体积分数为1.5%时可以获得最佳的去除速率及良好的速率一致性。
- 刘海晓刘玉岭刘效岩李晖王辰伟
- 关键词：化学机械抛光铜布线抛光速率
- Cu CMP抛光液对速率的影响分析及优化被引量：4
- 2010年
- 在超大规模集成电路多层Cu布线CMP工艺中,抛光液是决定抛光速率、抛光表面状态和平坦化能力的重要因素。采用Plackett-Burman(PB)筛选实验对抛光液成分(磨料、氧化剂、活性剂、螯合剂)进行显著性因素分析,得出磨料、FA/O螯合剂Ⅱ型和氧化剂为显著性因素,并采用响应曲面法对其进行优化并建立了模型,最终得到以去除速率为评价条件的综合最优抛光液配比,为Cu抛光液配比优化及对CMP的进一步发展提供了新的思路与途径。
- 李晖刘玉岭刘效岩刘海晓胡轶
- 关键词：抛光液化学机械抛光响应曲面法去除速率
- 铜互连线低压无磨料化学机械平坦化技术被引量：5
- 2012年
- 在低压无磨料条件下,利用碱性FA/O型螯合剂具有极强螯合能力的特性,对铜互连线进行化学机械平坦化,获得了高抛光速率和表面一致性。提出了铜表面低压无磨料抛光技术的平坦化原理,在分析了抛光液化学组分与铜化学反应机理的基础上,对抛光液中的主要成分FA/O型螯合剂、氧化剂的配比和抛光工艺参数压力、抛光机转速进行了研究。结果表明:在压力为6.34kPa和抛光机转速为60r/min时,抛光液中添加5%螯合剂与1%氧化剂(体积分数,下同),抛光速率为1825nm/min,表面非均匀性为0.15。
- 刘效岩刘玉岭梁艳胡轶刘海晓李晖
- 关键词：铜互连线低压化学机械平坦化
