采用E-mode 0.25μm Ga As p HEMT工艺,2.0 mm×2.0 mm 8-pin双侧引脚扁平封装,设计了一款应用于S波段的噪声系数低于0.5 d B的低噪声放大器。通过采用共源共栅结构、有源偏置网络和多重反馈网络等技术改进了电路结构,该放大器具有低噪声,高增益,高线性等特点,是手持终端应用上理想的一款低噪声放大器。测试结果表明在2.3 GHz^2.7 GHz内,增益大于18 d B,输入回波损耗小于-10 d B,输出回波损耗小于-16 d B,输出三阶交调点大于36 d B。
