蔡攀攀
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
- 供职机构：福州大学更多>>
- 发文基金：国家重点实验室开放基金国家自然科学基金福建省教育厅A类人文社科/科技研究项目更多>>
- 相关领域：机械工程金属学及工艺电子电信更多>>
- 考虑氧化作用的CMP接触去除模型分析被引量：1
- 2016年
- 针对目前大多数化学机械抛光(CMP)材料去除模型没有考虑到氧化薄膜作用的现象,提出一种考虑氧化后的芯片与磨粒之间的接触模型,该模型的建立基于接触力学理论和接触微凸体由弹性变形向弹塑性变形及最终向完全塑性变形的转化过程,并将该模型与传统的塑性去除模型进行了对比分析。结果表明:低压CMP精抛过程中,磨粒在外载荷的作用与氧化后的芯片表面发生接触去除,且随着工作载荷的增大,芯片表面的压痕深度、卸载回弹量、最大应力和材料去除量也随之增大;当载荷为1200-4250n N时,芯片弹塑性接触去除率小于传统理想塑性接触去除率;当载荷约为1650n N时,相对误差达到最大值28%。因此,氧化后的芯片与磨粒并非简单的塑性去除,考虑氧化后的芯片去除将更有利于后续精确地统计实际CMP去除率,为进一步优化CMP工艺提供一定的理论基础。
- 蔡攀攀林有希任志英林春生
- 关键词：化学机械抛光弹塑性工作载荷
- 互连芯片CMP接触去除过程数值模拟分析
- 随着半导体工业的高速发展,对芯片技术提出提高集成电路(IC)生产效率、集成度、减小器件尺寸的要求,致使传统抛光技术不能满足新型芯片技术的要求。虽然化学机械抛光技术(Chemical Mechanical Polishin...
- 蔡攀攀
- 关键词：氧化膜数值模拟
- 文献传递
