您的位置： 专家智库 > >

张平

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：天津工程师范大学更多>>
发文基金：天津市高等学校科技发展基金计划项目更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电迁移
  • 1篇电迁移效应
  • 1篇金属诱导
  • 1篇金属诱导横向...
  • 1篇晶粒
  • 1篇晶粒生长
  • 1篇固相
  • 1篇固相反应
  • 1篇非晶硅

机构

  • 1篇天津工程师范...

作者

  • 1篇王光伟
  • 1篇许书云
  • 1篇张建民
  • 1篇张平

传媒

  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2009
共 1 条 记 录，以下是 1-1
全选 清除 导出
排序方式：
电场增强Ni诱导非晶硅横向结晶及其电迁移效应被引量：1
2009年
在外加直流电场作用下,Ni诱导非晶硅(a-Si)薄膜发生横向结晶。影响Ni诱导a-Si薄膜横向结晶的因素有很多,如场强、反应以及退火条件等。适当强度的电场能显著加快Ni横向诱导a-Si结晶速率,当场强超过某一临界值,则该速率降低。基于电迁移效应,给出较为合理的解释。
王光伟张建民张平许书云
关键词：金属诱导横向结晶固相反应电迁移晶粒生长
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0