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一种硅基新结构TG VDC SOI LIGBT: 2018年; 针对传统的槽栅SOI LIGBT无法满足日益发展的智能功率集成电路对耐压性能和大电流处理能力需求的问题,文中提出了一种槽栅纵向双单元SOI LIGBT新结构。该结构在传统槽栅SOI LIGBT的漂移区引入了一个第二埋氧层,将器件隔离成上下两个并联的LIGBT单元,利用第二埋氧层的隔离增强器件的电流处理能力,并采用RESURF技术改善器件的正向阻断特性。Silvaco TCAD仿真结果表明,与常规TG SOI LIGBT相比,基于这种结构的通态电流提高了1. 2倍,击穿电压提高了1倍。; 张海鹏何健白建玲张强王颖王彬; 关键词：槽栅智能功率集成电路

N漂移区减薄的BPL SOI LDMOS器件的耐压特性: 2016年; 为了提高横向小尺寸薄埋氧层BPL SOI LDMOS器件的横向耐压,提出一种N漂移区减薄的BPL SOI LDMOS结构。该结构在BPL SOI LDMOS N漂移区的上表面引入一个沟槽。当器件正向截止时,与原结构相比,新结构具有更高的横向耐压值和漂移区最优掺杂浓度。采用2维数值仿真工具TCAD对该器件结构仿真测试,结果表明与原结构相比,该结构横向耐压得到显著提高。; 李阜骄张海鹏郝希亮何健张强; 关键词：SOI LDMOS

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张强