李晨
- 作品数：9 被引量：14H指数：2
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- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 系统芯片的关键技术及发展方向被引量：1
- 2007年
- 系统芯片,即(SoC),将包含处理器、存储器和片上逻辑等的一个系统集成在单一的芯片上。SoC所特有的功能强、速度高、体积小、成本低、功耗低等优点使得其技术不断发展,应用越来越广泛。文章首先探讨了系统芯片(SoC)的特点及分类,接着详细阐述了开发SoC所需IP核设计与复用、软硬件协同设计、软硬件协同设计等关键技术。分析了基于平台设计方法的优点,并介绍了SoC的一体化测试流程、共时测试等SoC测试新技术。
- 李晨于宗光
- 关键词：系统芯片
- 二极管阵列声表面波存储相关卷积器的研制
- 2008年
- 介绍了一种LiNbO3抽头延迟线外接p+n二极管阵列结构的声表面波存储相关卷积器。器件的中心频率为30 MHz,卷积效率为-54 dBm,存储相关效率为-76 dBm,信号存储时间大于70 ms。讨论了二极管阵列少子寿命与存储时间的关系,计算了相关输出与参考信号和读信号的关系,结果表明这种结构的器件是双线性的。对这种结构器件的设计及优化提出了建议。
- 赵杰李晨
- 关键词：二极管阵列少子寿命声表面波抽头延迟线电子辐照
- CPLD器件中电荷泵的分析与设计
- 2008年
- 以CPLD电路中的Dickson电荷泵作为研究和分析的对象,利用CADENCE中的Spectre仿真软件进行电路的仿真验证,分析了电荷泵中输出级负载电容与其电压上升时间的关系,电荷泵产生电压与电荷泵级数、电源电压的关系,三种电荷泵产生电压的区别,及电阻负载对电荷泵上升电压的限制,所得结果对CPLD电路电荷泵设计具有指导意义。
- 赵杰李晨邓玉良
- 关键词：电荷泵仿真验证级数电阻负载
- 芯片级集成微系统发展现状研究被引量：10
- 2010年
- 概要介绍了芯片级集成微系统的内涵和近期发展态势,分析了它的技术特点,对相关的新技术、新结构和新器件的技术问题作了初步的分析与探讨,为发展新一代微小型电子武器系统提供一部分技术信息。
- 李晨张鹏李松法
- 关键词：微电子器件异构集成
- 微纳器件的热挑战
- 2012年
- "大数据"时代[1]对信息处理系统所具备的巨量信息处理能力的要求和微纳电子器件的系统功能集成技术发展将引发严峻的热挑战。持续缩微、系统功能进一步集成和器件级异构将导致器件热流密度的大幅提升,热点问题在微纳器件的多界面复杂结构下将趋于恶化,尽管业界在热管理技术方面做了巨大的努力,但这种努力尚未创造出颠覆性的热管理技术,因此,热挑战将会在相当长时期内形成微纳器件发展的瓶颈。
- 李晨田利忠纪军李拂晓
- 关键词：大数据热流密度异构
- 二极管阵列结构存储相关卷积器的理论分析
- 2006年
- 对瞬态模式二极管阵列结构的声表面波(SAW)存储相关卷积器进行了理论分析,建立了二极管阵列在瞬态模式下的充放电过程理论模型,分析和讨论了影响器件性能的主要因素,所得结论对这种器件结构的设计和优化具有参考价值。
- 赵杰周光平李晨
- 关键词：二极管阵列
- 氮化镓HEMT器件的新型Cold FET模型
- 2008年
- 改进等效寄生电感的提取对提高小信号等效电路模型的仿真精度具有重要意义,尤其是氮化镓器件(GaN)。针对传统的等效寄生电感提取方法,本文推导了用于GaN HEMT器件的新型Cold FET模型及参数提取。通过对栅宽分别为200μm和1 000μm GaN HEMT的仿真/测试,表明:新的Cold FET模型可用于GaN HEMT器件等效寄生电感的提取。这将有助于场效应晶体管模型的研究。
- 郑惟彬李晨李辉陈堂胜任春江
- 关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管COLDFET模型
- 多晶硅薄膜高温退火特性研究分析
- 2006年
- 利用原子力显微镜、二次离子质谱分析仪和探针,对多晶硅薄膜的高温退火特性进行了实验研究。研究结果表明,多晶硅薄膜退火时出现的第二次反退火阶段,其物理起因是由于注入杂质在薄膜中的再分布;而在更高退火温度下,多晶硅薄膜会出现晶粒再结晶和再结晶弛豫过程,这些过程都会影响多晶硅薄膜的薄层电阻。
- 赵杰李晨
- 关键词：多晶硅薄膜高温退火
- 低功耗SOC的动态时钟管理被引量：3
- 2007年
- 介绍了一种系统级设计的时钟管理方案以及功耗管理模块的实现;分析了该方案在实现中可能存在的问题,并给出解决方法。此方案可以显著地降低时钟网络的动态功耗,弥补了现有工具只能在设计后期才能发挥作用的不足,达到了降低整个SOC芯片功耗的目的;引用具体设计项目,说明系统如何动态地调节时钟频率。
- 赵杰李晨邓玉良周泽游
- 关键词：系统芯片时钟网络
