陈启明
- 作品数：41 被引量：25H指数：3
- 供职机构：中国原子能科学研究院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学核科学技术电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 用于中子束流辐照实验的实验装置和实验系统
- 本公开提供了一种用于中子束流辐照实验的实验装置。所述实验装置包括实验台、样品安装机构和监测机构。所述实验台包括第一台面和至少一个支撑结构，所述至少一个支撑结构用于支撑所述第一台面并实现所述第一台面的移动。所述样品安装机构...
- 陈启明郭刚刘建成张付强韩金华
- 65 nm工艺SRAM中能质子单粒子效应研究
- 2023年
- 基于一款带错误检测与纠正(EDAC)功能的65 nm体硅CMOS SRAM,开展了中能质子对纳米级集成电路单粒子效应影响的研究。在SRAM本征工作模式和EDAC模式下,得到了2组试验结果。分析试验数据发现:在重离子与中能质子试验中,采用商用6T设计规则的电路均未发生单粒子闩锁现象,但都发生了单粒子多位翻转现象;质子单粒子效应引起的错误数已饱和,而重离子单粒子效应引起的错误数则随能量不断增加,该现象与2种粒子引起单粒子效应的机理有关。质子与重离子饱和截面的差异是由质子核反应的概率导致的,但空间错误率相近。此次试验很好地探索了中能质子对SRAM电路的影响,明确了质子与重离子导致单粒子错误的异同,为SRAM在航天上的应用奠定了基础。
- 陈锡鑫殷亚楠高熠郭刚陈启明
- 关键词：单粒子效应中能质子SRAM
- 基于28nm体硅CMOS工艺位交织型抗辐射触发器加固结构
- 2022年
- 为了减小单粒子电荷共享效应对纳米级触发器的影响,提出了一种基于双互锁冗余加固触发器(Dual interlocked storage cell,DICE)的新型布局结构。该结构在融入了脉冲窄化和敏感节点位交织技术,并与传统的DICE结构进行了比较,面积比传统DICE结构减小了15%,不需要考虑敏感节点直接的间距。测试电路用28 nm体硅CMOS工艺进行流片,辐射实验在中国原子能科学研究院抗辐射技术应用创新中心进行。实验证明:新型触发器结构单粒子翻转线性能量转移阈值≥37 MeV·cm2/mg,能够满足航天产品的应用需求。
- 周昕杰张黎莉王韬郭刚陈启明
- 关键词：单粒子效应触发器
- 重离子束流实时监测装置及辐照试验系统
- 本公开提供了一种重离子束流实时监测装置及辐照试验系统，该装置包括探测结构和光阑结构，探测结构包括多个探测器，用于实时监测重离子束流；光阑结构沿重离子束流的入射路径设置于探测结构之前；其中，光阑结构包括一光阑件，光阑件包括...
- 陈启明郭刚史淑廷沈东军刘建成孔福全孙浩翰
- 文献传递
- 核反应导致的SEE截面的获取方法、装置、设备及介质
- 本公开提供了一种核反应导致的SEE截面的获取方法、装置、设备及介质。其中，该核反应导致的SEE截面的获取方法，应用于微电子器件的核反应导致的单粒子效应的检测，其中，包括：获取次级粒子LET谱；获取重离子SEE截面；以及根...
- 韩金华郭刚张艳文陈启明
- 文献传递
- 半导体器件内离子有效LET值测量方法研究
- 2018年
- 提出了一种基于电荷收集测试技术的离子有效LET值测量方法.首先对半导体器件内收集电荷量与入射离子有效LET值之间的关系进行了分析,根据二者之间的关系提出通过测量电荷收集量从而测量离子有效LET值的方法;然后建立了半导体器件电荷收集测试系统,利用PN结和SRAM对测量方法进行了验证;最后成功利用该方法解释了以往单粒子效应实验中出现的数据异常.
- 史淑廷郭刚刘建成蔡莉陈泉沈东军惠宁张艳文覃英参韩金华陈启明张付强殷倩肖舒颜
- 关键词：单粒子效应电荷收集SRAM
- 碳化硅结势垒肖特基二极管的质子辐射效应被引量：1
- 2022年
- 碳化硅结势垒肖特基二极管(SiC JBS)是新一代航天器电推进系统的关键部件,但高能粒子辐射严重威胁其可靠性与稳定性。为揭示其辐射损伤机理,为其抗辐射加固设计与考核评估储备数据,本研究基于加速器开展了先进商用SiC JBS 10~20 MeV中能质子地面辐照实验,并提取器件辐照前后的正向伏安特性、反向伏安特性、电容电压等电学参数及缺陷特性。系统分析器件关键特性随辐照条件的改变规律。结果显示,质子辐照引起了器件肖特基势垒升高、载流子浓度降低,且10 MeV较低能质子导致的位移损伤退化更严重。分析认为,PN结界面缺陷导致高性能商用SiC JBS反向电学性能对中能质子的辐照更加敏感,正向特性相对稳定,辐照生碳缺陷造成载流子去除效应是引起SiC JBS性能退化的主要机制。
- 刘翠翠郭刚李治明殷倩张艳文刘建成韩金华张峥张付强陈启明
- 中能质子单粒子效应试验束流分布及次级中子模拟被引量：1
- 2021年
- 基于中国原子能科学研究院100 MeV质子回旋加速器,国内建成了用于微电子器件辐射效应研究的中能质子辐照试验装置。质子从加速器产生到入射器件样品期间,不可避免地会与束流传输线上的设备发生碰撞并产生大量次级中子,同时也使得质子束流参数发生改变。在开展微电子器件质子单粒子效应实验研究中,质子束流品质会直接影响单粒子效应截面测量的有效性和准确性。为评价质子束流品质,对中能质子辐照试验装置中质子束流传输线进行几何建模,并采用蒙特卡罗方法进行仿真模拟。选取质子入射能量100 MeV,通过降能片实现质子30~90 MeV能量调节,并将结果归一到单个质子入射情况,模拟得到样品辐照平面上质子的能量和注量分布、次级中子的能量和注量分布,以及中子质子比。模拟结果表明:次级中子对质子单粒子效应实验截面的影响很小,可以忽略。质子束的注量率范围、分布均匀性等参数均能够满足质子单粒子效应实验要求,表明该试验装置适合用于开展质子单粒子实验研究。
- 陈启明郭刚韩金华张付强张艳文刘建成赵树勇
- 关键词：单粒子效应次级中子
- 用于单粒子效应辐照实验的CYCIAE-100白光中子源研究
- 2023年
- 中子诱发单粒子效应会影响航空飞行器和地面核设施用电子器件的可靠性。基于质子加速器打靶产生的白光中子束是研究电子器件中子单粒子效应的重要中子源。通过开展辐照实验获取器件中子单粒子效应截面或阈值等信息,能够预测器件在中子辐射环境中的失效率,并为有针对性抗辐射加固提供数据支撑。中国原子能科学研究院100 MeV质子回旋加速器(CYCIAE-100)通过质子轰击W靶发生散裂反应可以产生具有连续能量的白光中子。本文基于核反应理论,采用蒙特卡罗方法模拟了100 MeV质子与W靶相互作用产生的中子的产额、能谱和角分布,模拟结果表明,平均1个100 MeV质子可以产生0.33个中子;中子能量范围为0~100 MeV,且随着能量的增加中子注量先增加后减小,峰值在1 MeV附近;沿质子束方向中子角分布具有轴对称性,且随着出射角的增加,中子注量先减小后增加,在90°时,中子注量最小。选取0°出射方向的中子束开展单粒子效应实验,采用基于双液闪探测器的中子飞行时间法测量白光中子能谱,获得了能量范围为3~100 MeV的中子能谱,且当质子束为100 MeV/1μA时,在距离W靶15 m处的中子注量率为3.3×10^(4)cm^(-2)·s^(-1),满足中子单粒子效应实验要求。
- 陈启明鲍杰马旭郭刚赵树勇张峥韩金华张付强李汪田
- 关键词：单粒子效应中子能谱
- 一种利用特征X射线鉴别重离子种类的实验方法
- 本发明涉及一种利用特征X射线鉴别重离子种类的实验方法，属于重离子种类鉴别技术领域，该方法包括以下步骤：S1、根据待鉴别的重离子种类，选择合适的碰撞靶材；S2、根据待鉴别的重离子和靶材产生的Kα‑X射线能量之差，选择合适的...
- 赵树勇郭刚隋丽刘建成陈启明
