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管建祥

作品数：1 被引量：2H指数：1
供职机构：盐城幼儿师范高等专科学校更多>>
发文基金：重庆市科技创新能力建设计划项目国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇第一性原理
  • 1篇第一性原理研...
  • 1篇电子结构
  • 1篇子结构
  • 1篇BI
  • 1篇BI2TE3

机构

  • 1篇中国矿业大学
  • 1篇江苏师范大学
  • 1篇盐城幼儿师范...

作者

  • 1篇陈磊
  • 1篇管建祥

传媒

  • 1篇重庆师范大学...

年份

  • 1篇2016
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
第一性原理研究Bi_2Te_3材料及在应变作用下的电子结构变化被引量：2
2016年
通过第一性原理系统地研究了Bi_2Te_3块体和薄膜的电子结构及其在应变下的电子结构变化。计算结果表明:Bi_2Te_3块体属于直接带隙半导体,宽度约为0.177eV,Bi_2Te_3单QL(Quintuple layer)薄膜则呈现间接带隙特征,带隙值约为1.031eV;在不超过3%的应变作用下,块体和薄膜材料的能带结构不受影响,但带隙宽度随应变增加成线性变化关系。
管建祥陈磊朱士泽段连威
关键词：第一性原理BI2TE3电子结构
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