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缪向水

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：武汉国家光电实验室更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电气工程一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇国内会议论文

领域

  • 2篇电气工程
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇导电
  • 1篇调制
  • 1篇异质结
  • 1篇阈值电压
  • 1篇相变

机构

  • 3篇武汉国家光电...

作者

  • 3篇缪向水
  • 2篇李祎
  • 2篇孙华军
  • 1篇钱航
  • 1篇许磊
  • 1篇闫鹏
  • 1篇童浩

传媒

  • 3篇TFC’15...

年份

  • 3篇2015
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
AgInSbTe固体电解质薄膜忆阻器及其电阻渐变特性研究
忆阻器是一类高速、高密度、低功耗的非易失性阻变器件，按照电阻转变行为，忆阻材料可以分成电阻突变型和电阻渐变型两种。突变型适合应用在存储器、逻辑运算以及现场可编程门阵列等领域；渐变型则适合作为电子突触器件应用于人工神经网络...
许磊李祎钟姝婧孙华军缪向水
Cu2O薄膜忆阻材料制备与导电机制研究
忆阻器作为第四种无源基本电路元件,在下一代非易失性存储器、逻辑与神经形态计算领域具有重要应用前景.诸多n型忆阻材料,如TiOx、ZnOx、TaOx和HfOx等已被广泛报道,但p型氧化物材料,如CuOx、CoOx、SnOx...
闫鹏李祎孙华军缪向水
基于GeTe薄膜的阈值电压可调制的相变异质结
相变存储器作为最重要的下一代非易失存储器技术，其具有读写速度快，读写次数多，与现有工艺兼容等优势.然后受限于选通单元面积，相变存储器存储密度难以进一步提升.虽然0T1R结构被提出来减小单元面积，但是依然存在大漏电流和小操...
颜柏寒童浩钱航缪向水
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