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赵艳春

作品数:8 被引量:8H指数:2
供职机构:内蒙古民族大学物理与电子信息学院更多>>
发文基金:内蒙古自治区教育厅科研基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 6篇理学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 6篇动力学
  • 6篇动力学模拟
  • 6篇分子
  • 6篇分子动力学
  • 6篇分子动力学模...
  • 3篇团簇
  • 2篇单壁
  • 2篇单壁碳纳米管
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  • 1篇金刚石薄膜
  • 1篇类金刚石
  • 1篇类金刚石薄膜

机构

  • 8篇内蒙古民族大...

作者

  • 8篇李之杰
  • 8篇赵艳春
  • 5篇闫孟泽
  • 4篇郭德成
  • 4篇李双
  • 2篇阎梦泽
  • 1篇金木其乐

传媒

  • 5篇内蒙古民族大...
  • 1篇计算物理

年份

  • 2篇2011
  • 3篇2010
  • 2篇2009
  • 1篇2008
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
C2团簇在金刚石(111)表面吸附结构的研
利用Brenner(#2)半经验势函数和分子动力学模拟方法研究了荷能的C在金刚石(111)表面的化学吸附过程。对300K时,初始入射动能分别为1,20,30eV的C团簇从6个不同位置轰击金刚石(111)表面进行了模拟,观...
郭德成李双阎梦泽赵艳春李之杰
文献传递
Tersoff势在小分子团簇几何优化中的应用被引量:1
2009年
深入分析了Tersoff势,并将Tersoff势用于优化由碳硅锗元素构成的双原子分子团簇(C2、CSi、CGe、Si2、SiGe、Ge2)及三原子分子团簇(C3、C2Si、C2Ge、CSi2、CGe2、CSiGe、Si3、Si2Ge、SiGe2、Ge3)的结构,得到了上述这些分子的最稳定结构,并将其中有些结构与从头计算、密度泛函理论和实验值进行了对比;另外,还分析了所得分子的平均结合能、键长和键角等的特点,并总结出一些规律.
李双郭德成赵艳春闫孟泽李之杰
关键词:团簇计算机模拟
Si(111)表面离子束辅助沉积对类金刚石薄膜结构影响的计算机模拟被引量:1
2009年
本文选C2分子和Ar离子作为沉积源和辅助沉积粒子,采用分子动力学(MD)方法在Si(111)面上模拟研究了离子束辅助沉积(IBAD)类金刚石(DLC)膜的物理过程.重点讨论了C2分子和Ar离子的入射能量及到达比(Ar/C)对平均密度和sp3键含量的影响,并与Si(001)-(2×1)表面生长类金刚石膜的结果进行比较.结果表明,到达比和入射能的改变,对薄膜结构的影响不同;Si(111)面上生长类金刚石膜,薄膜在衬底的附着力更强.
郭德成李双阎梦泽赵艳春李之杰
关键词:类金刚石薄膜离子束辅助沉积分子动力学模拟
单壁碳纳米管储氢分子动力学模拟研究
2011年
选用C(10×10)扶手椅型单壁纳米管,采用分子动力学方法模拟研究了在温度100K,初始入射动能在10,30,50,80,100eV几种情况下氢原子在单壁碳纳米管中的运动,并分析了单壁碳纳米管储氢情况,得到初始能量为80eV时储氢效果较好.
孔令权金木其乐赵艳春李之杰
关键词:分子动力学模拟单壁碳纳米管储氢
Si在Si(111)表面吸附过程的分子动力学模拟被引量:3
2010年
利用Tersoff半经验多体相互作用势和分子动力学模拟方法研究了荷能的硅原子在Si(111)表面的吸附过程.对100K时,初始入射动能分别为5,15,25,30eV的硅原子从6个不同位置轰击Si(111)表面进行了模拟,观察到了硅原子在Si(111)表面形成的吸附结构,并讨论了不同入射位置和入射能量对吸附结构的影响.结果表明,硅原子相对于表面不同的局部构型发生不同的碰撞过程,而硅原子入射能量的提高有利于成键过程的发生,从原子尺度模拟了沉积机制.
闫孟泽赵艳春孔令权李之杰
关键词:分子动力学模拟
C_2团簇在金刚石(111)表面吸附结构的分子动力学模拟被引量:2
2011年
利用Brenner(#2)半经验多体相互作用势和分子动力学模拟方法研究荷能的C2在金刚石(111)表面的化学吸附过程.模拟300 K时,初始入射动能分别为1,20,30 eV的C2团簇从6个不同位置轰击金刚石(111)表面,观察到C2团簇在金刚石(111)表面形成的吸附结构,表面C原子键的打开以及C2团簇与表面C原子成键等物理过程,并讨论不同入射位置和入射能量对沉积团簇的结构特性的影响.结果表明,对于表面不同的局部构型,C2团簇发生不同的碰撞过程,C2团簇入射能量的提高有利于成键过程的发生,从原子尺度模拟沉积机制.
郭德成李双闫孟泽赵艳春李之杰
关键词:分子动力学模拟团簇
Si(111)表面SiC薄膜生长过程的分子动力学模拟
基于分子动力学方法并选用Brenner 和Tersoff 作用势描述原子间的相互作用,选取Si 原子和C 原子作为沉积源,对SiC 薄膜的生长过程进行了计算机模拟.主要从平均密度、近邻分布、键长及键角分布等几个方面,讨论...
闫孟泽赵艳春孔令权李之杰
H原子通过碳纳米管的分子动力学模拟被引量:1
2010年
利用Brenner(#2)半经验多体相互作用势和分子动力学模拟方法研究了氢原子在单壁碳纳米管中的运动.对温度为10K时,初始入射动能分别为1,5,10,15,20,30eV的H原子以不同的入射角度进入碳纳米管进行模拟,观察了氢原子与碳纳米管的吸附情况及在碳纳米管中的运动,并讨论了不同入射能量和入射角度对氢原子在碳纳米管中吸附的影响.结果表明,在能量为20eV时H原子能够很好的吸附在碳纳米管管壁上.
赵艳春闫孟泽孔令权李之杰
关键词:H原子单壁碳纳米管分子动力学模拟
共1页<1>
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