黄科
- 作品数：9 被引量：17H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 808nm波长锁定大功率半导体激光器列阵被引量：3
- 2011年
- 大功率半导体激光器列阵（DLA）具有功率高、电光转换效率高、可靠性强、寿命长、体积小及成本低等诸多优点,但其波长随温度变化较大,光谱线宽较宽,这些缺点直接限制了其实际应用。为了解决此问题,采用体布拉格光栅（VBG）构成波长锁定大功率半导体激光器系统。体布拉格光栅可以把波长锁定,同时把光谱线宽压窄,从而有效改善了DLA波长漂移和光谱线宽的情况。在载体水冷温度为30~60℃时,大功率半导体激光器列阵自由运行,波长温度漂移系数为0.26nm/℃,光谱线宽为2~3nm。当采用体布拉格光栅作为外腔反馈后,DLA的光谱线宽被压缩到了1.2nm,波长稳定在体布拉格光栅波长807.1nm附近,波长温度漂移系数小于0.005nm/℃。
- 安振峰黄科邓海丽
- 关键词：外腔波长锁定光谱线宽
- 蓝宝石衬底上高质量AlN材料的制备被引量：1
- 2018年
- 设计了一种三维和二维交替（3D/2D）生长模式,并使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法在蓝宝石衬底上通过3D/2D交替生长模式制备了AlN外延材料。高分辨X射线衍射仪测试结果表明,相较于纯3D和2D生长模式制备的AlN材料,3D/2D交替生长模式制备的AlN材料的（002）和（102）半高宽都有所减小,表明该3D/2D交替生长模式制备的AlN材料具有更高的晶体质量和更低的位错密度。原子力显微镜（AFM）测试表明,每个周期中3D AlN层与2D AlN层的厚度不同,3D/2D AlN样品的粗糙度不同。当单个周期中,3D AlN层厚度为100 nm和2D AlN层厚度为300 nm时,AlN表面平整,原子台阶清晰。喇曼光谱测试表明所有AlN样品都是c轴择优取向,3D/2D交替生长模式并不会改变AlN材料的生长方向。
- 黄科
- 新型大功率小型化陶瓷宽边耦合3dB电桥设计
- 2018年
- 提出并实现一种基于薄膜工艺的陶瓷P波段大功率小型化3d B宽边耦合电桥:利用薄膜光刻工艺和混合微波集成电路(HMIC),采用螺旋形的宽边耦合结构,设计制作了一款陶瓷大功率小型化低插损的3d B电桥。陶瓷螺旋形宽边结构有助于实现3d B电桥的小型化和低插损。利用微波仿真软件,设计了该P波段大功率3d B电桥。最终尺寸仅为10mm×6mm×0.8mm。经测试验证,该电桥在400MHz-480MHz范围内实现3d B紧耦合,插损(IL)<0.15d B,驻波比(VSWR)<1.3:1,该3d B电桥可承受功率超过2000W、占空比为15%的脉冲功率冲击。
- 黄科孔令甲
- 关键词：大功率小型化陶瓷宽边耦合
- 微通道散热大功率半导体激光器研究被引量：1
- 2009年
- 基于GaInAs/AlGaAs应变量子阱大光腔结构激光器芯片和无氧铜微通道热沉,采用In焊料烧结工艺,制作了976nm大功率连续激光器单条。在20℃热沉冷却条件下,输入电流110A时,输出功率104.9W,电光转换效率达到最大值64%。输入电流300A时,输出功率276.6W,电光转换效率达到54.2%。对激光器单条的热阻以及特征温度进行了测试分析,根据分析结果模拟了激光器单条在大电流下的输出特性,模拟结果显示热饱和是限制激光器最大输出功率的原因。因此,为了提高大功率激光器的输出功率,需要进一步提高激光器的特征温度,并降低热阻以改善散热情况。
- 黄科杨红伟车相辉彭海涛王媛媛徐会武
- 关键词：大功率半导体激光器微通道热沉电光转换效率热阻
- 同步计数器
- 本实用新型提供了一种同步计数器，该同步计数器包括：逻辑电路、至少两个数选电路、至少两个D触发器，至少两个数选电路与至少两个D触发器一一对应；逻辑电路的信号输入端与每个D触发器的输出端连接，逻辑电路的第一信号输出端与每个数...
- 王增双张加程郭文胜黄科高晓强盛百城张献武谢甲林亢提张存亮王道贤马世恒刘林卫张光宇张坤
- 文献传递
- 高效率大功率连续半导体激光器被引量：10
- 2010年
- 从大功率半导体激光器的工作机理出发,对影响激光器电光转换效率的主要因素,如激光器的斜率效率ηd、阈值电流Ith、开启电压V0、串联电阻Rs以及工作电流I等进行了分析,进而讨论了提高电光转换效率的主要技术途径。通过对应变量子阱大光腔激光器外延材料开启特性的优化、大功率激光器芯片横向限制工艺的改进以及对大功率微通道热沉制作等技术的研究,制作了808nm连续半导体激光器阵列。在工作电流140A时,阵列工作电压为1.83V,输出功率145W,电光转换效率达到56.6%。
- 杨红伟黄科陈宏泰张世祖任永学
- 关键词：电光转换效率微通道热沉
- 高效率连续1000 W半导体激光器叠层阵列被引量：1
- 2010年
- 采用低压MOCVD外延技术生长的GaInAs/AlGaAs应变量子阱大光腔结构材料结构设计,利用低压MOCVD外延技术生长了3英寸(75 mm)激光器外延片,进而设计制作了976 nm大功率低热阻连续激光器芯片。采用以及高热导率的无氧铜材料设计制作了大功率微通道热沉,采用In焊料芯片倒装烧结工艺,制作了976 nm连续激光器阵列单条。在20℃水冷条件下,输入电流120 A,工作电压1.51 V,输出功率达到118 W,电光功率转换效率约65%。将10只微通道阵列单条堆叠组装,制作了连续1 000 W微通道叠层阵列。在20℃水冷条件下,输入电流120 A,输出功率达到1 130 W,工作电压1.45 V,电光功率转换效率约65%。
- 杨红伟黄科陈宏泰彭海涛王媛媛徐会武
- 关键词：应变量子阱微通道热沉串联电阻
- 同步计数器
- 本发明提供了一种同步计数器，该同步计数器包括：逻辑电路、至少两个数选电路、至少两个D触发器，至少两个数选电路与至少两个D触发器一一对应；逻辑电路的信号输入端与每个D触发器的输出端连接，逻辑电路的第一信号输出端与每个数选电...
- 王增双张加程郭文胜黄科高晓强盛百城张献武谢甲林亢提张存亮王道贤马世恒刘林卫张光宇张坤
- 文献传递
- 808nm高效率激光二极管被引量：1
- 2011年
- 目前808nm高效率激光二极管产品的转换效率只有50%左右,还有很大的提升空间。通过提高欧姆接触层浓度、界面渐变和波导层掺杂等方面的外延材料结构优化,减小附加电压和电阻值,设计制作了808nm大光腔应变量子阱外延材料;并制作了200μm发光区标准单管,提取了材料内部参数,材料内损耗iα为0.67cm-1,内量子效率iη为0.88;将圆片解理成2mm腔长的巴条进行腔面镀膜,并烧结成标准单管,25℃下单管电光效率达到61.1%;将巴条烧结到微通道载体上,制作成标准微通道水冷单条阵列,水温15℃110A下输出光功率126.6W,电光转换效率62.77%。
- 陈宏泰车相辉林琳位永平王晶黄科张世祖徐会武王晓燕杨红伟安振峰花吉珍
- 关键词：激光二极管大光腔
