党鹏
- 作品数：2 被引量：8H指数：2
- 供职机构：东北大学材料与治金学院材料各向异性与织构工程教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电气工程更多>>
- 真空蒸发法制备CdS薄膜及其性能研究被引量：6
- 2009年
- 用真空蒸发法制备了CdS薄膜,用扫描电镜、X射线衍射仪、紫外-可见光分光光度计、四探针对薄膜的形貌、结构、光电性能进行分析测试.研究结果表明,不同基片温度下所制备的CdS薄膜主要为六方相,CdS薄膜在(002)晶面有高度的择优取向;不同基片温度下的薄膜对可见光的透光率都超过70%;薄膜的电阻率随基片温度的升高而增大;基片温度为50℃时薄膜的Eg为2.41 eV;在200℃退火处理改善了CdS薄膜的质量,结晶度提高,电阻率降低,晶粒尺寸增大;基片温度为50℃时薄膜在200℃退火后的电阻率为255Ω.cm.
- 单玉桥党鹏于晓中单连中
- 关键词：CDS太阳电池
- 三源共蒸法制备CIS薄膜及其性能研究被引量：2
- 2009年
- 用三源共蒸法以高纯的Cu,In,Se粉为原材料制备了CuInSe2薄膜,研究了基片温度、退火处理对薄膜形貌、结构、光学及电学性能的影响.用扫描电镜、X射线衍射仪、紫外-可见分光光度计、霍尔效应仪对薄膜的形貌、结构、光学及电学性能进行检测.研究结果表明:不同基片温度下的薄膜对可见光都具有较高的吸收指数;薄膜在(112)晶面有高度的择优取向;基片温度为200℃时薄膜的Eg为0.99 eV;基片温度为200℃和300℃时薄膜都获得了单一黄铜矿结构的CuInSe2,退火处理后电阻为1.53Ω/cm2和1.55Ω/cm2.
- 单玉桥党鹏孙绍广单连中
- 关键词：CUINSE2太阳电池
