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周静

作品数：11 被引量：0H指数：0
供职机构：陕西科技大学更多>>
相关领域：一般工业技术自动化与计算机技术文学语言文字更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇一般工业技术
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇语言文字
  • 1篇文学

主题

  • 5篇SUB
  • 3篇导电薄膜
  • 3篇非易失性
  • 2篇底电极
  • 2篇适配
  • 2篇气相沉积
  • 2篇无铅
  • 2篇物理气相沉积
  • 2篇非晶
  • 2篇非易失性存储
  • 2篇非易失性存储...
  • 2篇存储器
  • 1篇电极
  • 1篇修饰
  • 1篇掩模
  • 1篇掩模版
  • 1篇氧化钨
  • 1篇氧化钇
  • 1篇氧化铟
  • 1篇氧化铟锡

机构

  • 11篇陕西科技大学

作者

  • 11篇周静
  • 3篇王伟伟
  • 3篇王艺茹
  • 3篇吕曼曼
  • 2篇张云飞
  • 1篇张苗
  • 1篇罗道斌
  • 1篇王鑫

年份

  • 1篇2025
  • 2篇2024
  • 3篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2019
  • 1篇2017
  • 2篇2016
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种无铅全无机卤化物Cs<Sub>3</Sub>Cu<Sub>2</Sub>Br<Sub>5</Sub>钙钛矿薄膜忆阻器及其制备方法
本发明公开了一种无铅全无机卤化物Cs<Sub>3</Sub>Cu<Sub>2</Sub>Br<Sub>5</Sub>钙钛矿薄膜忆阻器及其制备方法，属于非易失性存储器技术领域。本发明公开的一种无铅全无机卤化物Cs<Sub>...
朱媛媛王红军郭子聪周静刘雍熊锐
一种基于非晶氧化钇/氧化铪双层结构的数字型忆阻器及其制备方法和应用
本发明公开了一种基于非晶氧化铪/氧化钇双层结构的数字型忆阻器及其制备方法和应用，属于非易失性阻变存储器技术领域。在高平整度衬底上，采用物理气相沉积方式沉积第一导电薄膜，作为底导电电极；采用含有钇和铪元素的靶材，在底导电电...
王红军王永庆杨淑宁朱媛媛周静
一种基于Mg离子掺杂非晶Y<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>薄膜的高存储窗口忆阻器及其制备方法和应用
本发明公开了一种基于Mg离子掺杂非晶Y<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>薄膜的高存储窗口忆阻器及其制备方法和应用，属于非易失性存储器领域。该高存储窗口忆阻器的制备步骤如下：在合适的非导电衬底上沉积金属导电...
朱媛媛王红军罗道斌王有庆周静
中国共产党运用标语口号进行思想政治教育(1921--1949)的经验与启示研究
中国共产党标语口号在建党初期和国民革命时期、土地革命时期、抗日战争时期以及解放战争时期始终作为重要的宣传动员武器,对广大群众产生了引导激励、宣传教育和政治动员等思想政治教育作用;在促进社会经济生活、政治生活和文化生活发展...
周静
关键词：中国共产党标语口号思想政治教育
一种Rb元素掺杂无铅卤化物钙钛矿Cs<Sub>x</Sub>Rb<Sub>1-x</Sub>SnBr<Sub>3</Sub>纳米结构的制备方法
本发明公开了一种Rb元素掺杂无铅卤化物钙钛矿Cs<Sub>x</Sub>Rb<Sub>1‑x</Sub>SnBr<Sub>3</Sub>纳米结构的制备方法。所述方法步骤如下：选择具有可控调节温度的双温区管式炉反应器，将溴...
黄佳霖朱媛媛王红军周静杨梓怡熊雨露
水龙头
1．本外观设计产品的名称：水龙头。;2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于放水。;3．本外观设计产品的设计要点：主视图。;4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：主视图。;5．省略视图：由于左视图不常见，故省去...
王伟伟吕曼曼王艺茹周静
一种手机壳
本实用新型属于手机的辅助物品，具体涉及一种手机壳，包括与手机相适配的壳体，所述壳体的背面固定设置至少一个把手，具有结构简单，易操作，使用方便的有益效果的内容。
王伟伟吕曼曼王艺茹周静
一种非晶氧化钨薄膜模拟型阻变忆阻器及制备方法和应用
本发明公开了一种非晶氧化钨薄膜模拟型阻变忆阻器及制备方法和应用，属于非易失性存储器及神经网络计算技术领域。方法包括：先在绝缘衬底上沉积第一导电薄膜，作为模拟型阻变忆阻器的底电极；再采用物理气相沉积方法，生长氧缺陷含量梯度...
王红军张苗朱媛媛张云飞王鑫周静
一种暗扣
本实用新型属于衣物上的零件领域，具体涉及一种暗扣，包括母扣以及与母扣相适配的子扣，所述母扣、子扣上分别固定设置有固定件，具有方便快捷、适用范围广的优势。
王伟伟吕曼曼王艺茹周静
一种基于TiO<Sub>2</Sub>/Y<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>异质结结构的高调控范围三值阻变忆阻器及其制备方法和应用
本发明公开了一种基于TiO<Sub>2</Sub>/Y<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>异质结结构的高调控范围三值阻变忆阻器及其制备方法，属于非易失性阻变存储器技术领域，采用物理气相沉积法，在衬底上沉积导...
朱媛媛张云飞王红军周静
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