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高质量硼掺杂单晶金刚石同质外延及电学性质研究被引量：1: 2022年; 突破高质量、高效金刚石掺杂技术是实现高性能金刚石功率电子器件的前提。本文利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法,以三甲基硼为掺杂源,制备出表面粗糙度0.35 nm,XRD(004)摇摆曲线半峰全宽28.4 arcsec,拉曼光谱半峰全宽3.05 cm^(-1)的高质量硼掺杂单晶金刚石。通过改变气体组分中硼元素的含量,实现了10^(16)~10^(20) cm^(-3)的p型金刚石可控掺杂工艺。随后,研究了硼碳比、生长温度、甲烷浓度等工艺条件对p型金刚石电学特性的影响,结果表明:在硼碳比20×10^(-6)、生长温度1100℃、甲烷浓度8%、腔压160 mbar(1 mbar=100 Pa)时p型金刚石迁移率达到207 cm^(2)/(V·s)。通过加氧生长可以提升硼掺杂金刚石结晶质量,降低杂质散射。当氧气浓度为0.8%时,样品空穴迁移率提升至614 cm^(2)/(V·s)。; 王若铮闫秀良彭博彭博魏强魏强; 关键词：单晶金刚石 P型掺杂硼掺杂 MPCVD 空穴迁移率

一种利用光谱信息增强物体图像信息的采集装置: 本发明公开了一种利用光谱信息增强物体图像信息的采集装置，包括视频成像单元、光谱仪以及为视频成像单元和光谱仪提供触发信号的信号触发模块；视频成像单元和光谱探测镜头的数据输出端与计算机相连；视频成像单元的几何中心轴和光谱探测...; 朱京平彭博郝振洪杜炳政马志鹏吴芮李创社; 文献传递

一种利用光谱信息增强物体图像信息的采集装置: 本发明公开了一种利用光谱信息增强物体图像信息的采集装置，包括视频成像单元、光谱仪以及为视频成像单元和光谱仪提供触发信号的信号触发模块；视频成像单元和光谱探测镜头的数据输出端与计算机相连；视频成像单元的几何中心轴和光谱探测...; 朱京平彭博郝振洪杜炳政马志鹏吴芮李创社

金刚石肖特基二极管的研究进展被引量：1: 2023年; 金刚石具有宽带隙(5.47 eV)、高载流子迁移率(空穴3800 cm^(2)/(V·s)、电子4500 cm^(2)/(V·s))、高热导率(22 W·cm^(-1)·K^(-1))、高临界击穿场强(>10 MV/cm),以及最优的Baliga器件品质因子,使得金刚石半导体器件在高温、高频、高功率,以及抗辐照等极端条件下有良好的应用前景。随着单晶金刚石CVD生长技术和p型掺杂的突破,以硼掺杂金刚石为主的肖特基二极管(SBD)的研究广泛展开。本文详细介绍了金刚石SBD的工作原理,探讨了高掺杂p型厚膜、低掺杂漂移区p型薄膜的生长工艺,研究了不同金属与金刚石形成欧姆接触、肖特基接触的条件,分析了横向、垂直、准垂直器件结构的制备工艺,以及不同结构对SBD正向、反向、击穿特性的影响,阐述了场板、钝化层、边缘终端等器件结构对SBD内部电场的调制作用,进而提升器件反向击穿电压,最后总结了金刚石SBD的应用前景及面临的挑战。; 彭博彭博张舒淼李奇王若铮王宏兴; 关键词：金刚石肖特基二极管金属-半导体接触场板钝化层

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彭博