沈璐
- 作品数：2 被引量：18H指数：1
- 供职机构：哈尔滨工业大学机电工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国防基础科研计划更多>>
- 相关领域：金属学及工艺更多>>
- 光学元件激光诱导损伤分析及实验研究被引量：18
- 2017年
- 通过激光损伤实验,系统分析了传统研磨抛光加工工艺中表面杂质、刻蚀时间、亚表层缺陷和划痕宽深比对熔石英元件激光损伤阈值的影响。结果表明:擦洗后熔石英元件的激光损伤阈值为21.6J/cm^2,未经擦洗的元件的激光损伤阈值为11.28J/cm^2,受表层杂质影响激光损伤阈值大幅度降低,而有缺陷位置处的激光损伤阈值明显比无缺陷位置处的低。刻蚀时间的增加会使工件表面粗糙度和缺陷尺寸逐渐增大,导致光学元件激光损伤阈值大幅度下降,因此需要合理选择化学刻蚀时间。亚表层缺陷会对入射光场产生调制作用,造成局部区域反射光、散射光及入射光相互叠加,最终导致材料破坏而产生激光损伤。随着刻蚀时间的增加,划痕的宽深比会逐渐增大,可以逐渐减弱划痕对光场的调制作用,从而降低激光损伤发生的概率。
- 王洪祥沈璐李成福白桦周岩
- 关键词：激光制造激光损伤阈值
- 化学刻蚀工艺参数对刻蚀速率的影响
- 2017年
- 本文系统分析了化学刻蚀过程中反应生成的扩散和物质传输规律,得到了刻蚀工艺参数如时间、温度、HF酸浓度、辅助试剂对刻蚀速率的影响规律。结果表明:在刻蚀时间较短时刻蚀速率基本恒定,随着时间的增加刻蚀速率呈现逐渐下降的趋势。温度的升高改变了反应物质的活化能和溶液的传输特性,促使刻蚀速率加快。随HF酸浓度的增大刻蚀速率有很大的提高,但反应过快不宜控制刻蚀进程,而采用缓冲氧化物刻蚀剂有利于提高熔石英元件化学刻蚀速率。
- 王洪祥沈璐王晓霞李成福
- 关键词：刻蚀速率工艺参数
